NP1207DR 12V p通道增强模式MOSFET

描述

NP1207DR采用先进的战壕技术提供优良的RDS(ON)，低栅在极低电压的情况下进行充电和操作1.8 v。该装置适用于负载开关或在PWM应用中。

一般特征

VDS = -12v, id = -7a

RDS(上)(Typ) = 25米Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 34米Ω@VGS = -2.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关包

DFN2 * 2-6L
 

订购信息

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)

电特性(除非另有说明，TA=25℃)

注:

a.表面安装在FR4板上，t≤10秒

B.脉冲测试:脉宽≤300μs，占空比≤2%

C.设计保证，不经生产检验

审核编辑：符乾江