台积电2nm芯片将采用GAAFET技术

台积电正式公布2nm制造技术，首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术，而非现在的FinFET鳍式场效应晶体管技术，GAAFET技术将大大降低了漏电流和降低功耗的能力。

台积电2nm芯片性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，芯片密度增加了1.1倍以上，将应用于各种移动SoC、高性能CPU和GPU等领域。

值得一提的是，台积电采用FinFlex技术的3nm芯片将在未来几个月内投入生产，而2nm芯片将在2024年开始风险试产，预计将2025年实现量产。

综合正字自半导体行业观察、IT之家

审核编辑：汤梓红