电源/新能源
Pai8131A是荣湃最新推出的一款半桥驱动芯片。该芯片采用荣湃特有的iDivider技术进行设计,实现相互独立的控制输出。该芯片可以直接驱动两个中小功率半导体器件如MOSFET或IGBT,具有动态响应快,驱动能力强,工作频率高,通道间传输延时匹配性好,抗干扰能力强等特点。
该芯片自带死区功能,可以有效防止直通;同时采用具有下拉功能的施密特触发式输入设计,有效提高抗噪性能,防止器件意外开通。
Pai8131A芯片内电路框图和管脚定义如图1和图2所示。
图1 Pai8131A内部框图
图2 Pai8131A脚位图
引脚功能定义如下:
1脚
VCC
逻辑与低端电源电压
2脚
HIN
高端逻辑输入,输出同相
3脚
LIN
低端逻辑输入,输出反相
4脚
COM
低端电源接地
5脚
LO
低端驱动输出
6脚
Vs
高端电源参考地
7脚
HO
高端驱动输出
8脚
VB
高端电源电压
无刷直流电机不仅具有结构简单、运行可靠、维护方便、寿命长、运行效率高、调速性能好等优点,还具有功率密度高,低转速,大转矩等特点,在电动自行车中得到了广泛应用。
图3. Pai8131A在电动自行车中的典型应用图
图3是Pai8131A在电动自行车中的典型应用图。图3中,控制器MCU将多路PWM信号发送给半桥驱动器U1、U2、U3,半桥驱动器U1,U2,U3将接收到的PWM信号转换成驱动信号去控制相应MOSFET的开通和关断,从而实现对无刷电机的控制。Pai8131A自带死区,能够有效防止同一桥臂上下两个MOSFET直通,死区时间为400~650ns。另外Pai8131A的逻辑输入端兼容TTL电平和CMOS电平输入,能够更好的适应不同供电电压的系统需求。
为了保证系统稳定可靠的工作,使用Pai8131A进行电路设计时,要注意自举电容和自举二极管的选取。通常图3中的自举二极管D1,D2,D3要选用漏电流小、反向耐压足够高、导通压降小,反向恢复时间短的二极管。自举电容C4,C5,C6要选用稳定性好、串联电感小、高频特性优的电容,容值大小根据PWM频率和负载大小来选用。一般PWM频率高时,选用小容值电容,PWM频率低时,选用大容值电容。另外自举电容的上电回路不要经过大阻抗负载,否则要为自举电容提供快速充电通路。
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