飞宏新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用Transphorm的氮化镓技术

Transphorm用于低功耗应用的高可靠性器件能简化电源系统的开发，减少元件数量；是18亿美元规模的适配器市场的成熟解决方案。
 
加州戈利塔 -- (新闻稿)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布，全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用了该公司的氮化镓技术。这款适配器采用Transphorm的SuperGaN®第四代技术，这是一种氮化镓场效应管(FET)平台，具有以下优点：系统设计简单，元件数量少，性能更高，可靠性一流。
 
飞宏的65W适配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配备两个USB-C端口和一个USB-A端口(2C1A)，可同时为三台设备充电。这款充电器采用了单个650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG，与采用准谐振反激模式(QRF)拓扑结构的硅解决方案相比，功率损失可减少约17%。该适配器还提供高达65W的USB PD和PPS功能。
 
TP65H300G4LSG是一款240毫欧、通过JEDEC认证的PQFN88表面贴装器件，具有±18V栅极安全裕度。FET是建立在QRF、有源钳位反激模式(ACF)或LLC谐振拓扑结构上的150W或以下低功率应用的理想选择。
 
Transphorm的TP65H300G4LSG具有与硅类似的阈值水平和高栅极击穿电压（最大±18 V）。它可以与现成的控制器（包括带有集成驱动器的控制器）配合使用，无需负偏置电压。这些功能可简化电源系统的设计；消除对额外外围电路的需求，从而减少元件数量；同时还能增加整个系统的可靠性——这些都是飞宏决定采用Transphorm FET的关键原因。
 
飞宏生产制造各种备受电子设备公司信赖的可靠电源解决方案。公司对氮化镓功率密度优势的理解让其决定打造新的氮化镓适配器。Transphorm的氮化镓FET具有简单可设计性和可驱动性，并且具有高栅极鲁棒性，因此飞宏很快决定选择Transphorm作为其氮化镓器件合作伙伴。
 
根据Facts and Factors近期发布的一份报告，预计到2026年全球交流转直流适配器市场规模将达到18.54亿美元，年复合增长率为12.7%。Transphorm最近也在5月份的报告中称，其240毫欧器件的发展势头正在不断加强，公司获得了亚洲大型手机(65W)项目和领先的WW电子零售商(140W)项目的ODM预生产订单。此外，该公司的市场份额增长还得益于成功赢得一家《财富》100强头部企业的另一项笔记本适配器设计项目，其中包括5万个SuperGaN® 240毫欧FET的初始采购订单。这些FET可以为65W快充适配器应用提供更高的效率，而竞争对手的e-mode氮化镓FET则需要更大的150毫欧器件来满足类似应用的需求。因此，这些Transphorm SuperGaN® FET使客户能够利用更小的器件实现更强的性能。
 
Transphorm亚太区销售副总裁Kenny Yim表示：“我们的SuperGaN平台从一开始就围绕四大关键原则打造：可靠性、可设计性、可驱动性和可重复性。我们的240毫欧器件也不例外。我们让适配器制造商能够设计出体积小、重量轻、发热少的产品，并提供前沿的先进USB充电功能。这些创新正在推动全球适配器市场对氮化镓的采用，使我们有能力通过大批量生产能力支持高性能的解决方案，从而巩固我们的市场地位。”