MCU内核电源电路及BOM元器件选择

MCU需要内核、参考、通用3种电源，每种电源的性能参数各不相同。为了稳定运行，这些电源必须满足三个条件：负载瞬态波动低，纹波抑制比高，功耗低。其中，内核电源最为娇贵，这个电压大约1.0-1.2V，倾向于不断降低，有望在未来达到0.8-1.2V左右，以满足智能手机、平板电脑等智能终端不断发展的小型化、轻量化和低能耗需求。

MCU供电电源系统

内核电源最大挑战是提供一个稳定的低压，消除来自PMIC和DC-DC转换器等器件的开关噪声，而且具有较高的纹波抑制比。由于MCU本身会发热，内核电源必须低功耗，以减少MCU对周边的影响，这可通过采用新型LDO来实现。例如，采用TCR5BM/8BM系列低功耗LDO的电源，输入电压可达2.5V或以上，VOUT为1.4V或以上。

当然，这里还有一个外部因素，就是输入电压的电源必须尽可能稳定，否则其噪声会显著影响这个LDO驱动电路的输出电压，使MCU承受较大风险甚至损坏。

用小外形低功耗LDO的MCU电源电路

芯齐齐BOM分析

芯齐齐BOM分析工具显示，TCR5BM/8BM是东芝公司的小外形低功耗LDO，可提供低至0.8V或高至3.6V的VOUT，可将导致功率损耗的罪魁祸——压差降低至业界最低压差水平。其中，

TCR5BM支持低至100mV的压差和最高达500mA的输出电流，而TCR8BM系列支持低至170mV的压差和最高达800mA的输出电流。这些表贴LDO具有98dB(典型值)波纹抑制比，具有快速负载瞬态响应，以避免发生由IC操作模式迅速切换引起的故障。

采用TCR5BM/8BM的MCU内核电源BOM

电路中的电容器不可小看，建议选择ESR不大于1.0Ω的瓷介电容器，选型时要考虑工作环境。为了稳定工作，要在VIN引脚连接一个 1μF或者更大一些的电容器，在VBIAS引脚连接一个不小于0.1μF电容器，在VOUT引脚连接一个不小于2.2μF的电容器。

PCB布线考虑

MCU内核电源PCB布线非常关键，即使考虑了一些可能的振荡问题，例如内置相位补偿电容，布线产生的电容和电感依然可能引起振荡，这需要优化PCB布线图案。其次，还要特别注意走线路径，保证这些阻抗不会影响LDO的内部电路。VBIAS的走线也不宜太长，否则就容易引起噪声。

还有一些常规注意事项，例如VIN和GND两个引脚不能形成环路，走线宽度尽可能大以减小PCB布线阻抗等。

审核编辑：汤梓红