如何在Keil中添加Flash烧写算法

描述

Flash,相信大家一定都不陌生,作为一种非易失性内存,其显著特点就是即便系统掉电,其上的存储内容也不会丢失。也正因如此,其作为程序存储介质而被广泛应用。

当然,也有他的弊端或者说不便利性,那就是Flash的读写操作往往不是那么的招人“喜欢”。即便是Nor Flash,也仅仅是能够实现按地址的随机读操作,而不能实现随机写。而且,数据的写入往往都是基于块操作的,也就是说,想要将数据写入flash中,即便只想更新哪怕一个字节,也要对一整个块来操作。并且要执行类似于:先擦除再写入的操作。

而既然我们想要将程序烧写到flash中,那不可避免地就要编写相应的flash操作程序来辅助实现。

本期小编就将为大家介绍下,如何在Keil中添加Flash烧写算法,能够让Keil帮助我们进行程序的烧写工作。

何为FLM文件

    回想一下,在Keil这款IDE中,如果想要将程序烧写到Flash中,首先要干的一步就是打开项目属性页要选择合适的flash下载算法,而这个算法本身就是一个FLM文件:

烧写

FLM文件结构

那么FLM文件是怎么构成呢?Keil规定,一个FLM文件中一般要有以下函数:

烧写

其中最为重要的有5个,我们来一一说明:

int Init (unsigned long adr, unsigned long clk, unsigned long fnc); 负责flash器件的初始化工作,其中:
a)adr: 设备首地址
b)clk:时钟频率(Hz)
c)fnc:要执行的flash操作,包括,1:Erase,2:Program,3:Verify

int EraseSector (unsigned long adr); 擦除addr所指定地址处的整个sector

int ProgramPage (unsigned long adr, unsigned long sz, unsigned char *buf); 对flash进行烧写操作,其中:
a)adr:待烧写地址
b)sz:待烧写数据长度
c)bug:待烧写数据

int EraseChip (void); 擦除整块flash

int UnInit (unsigned long fnc); Uninit flash, 并根据传入的fnc执行不同的flash后操作,fnc的定义同Init

编写FLM文件

Keil很贴心的为我们准备了一个模板工程,可以以说包含了生成一个FLM文件的所有,工程文件位置在 Keil安装目录ARMFlash\_Template:

烧写

我们所需要修改的就是FlashDev.c以及FlashPrg.c两个文件,为了方便测试,小编就直接在i.MX RT1170 EVK上挂载的IS25WP128-JBLE Flash为例进行说明。

首先是FlashDev.c文件,这里面主要提供了一些Flash的基本硬件信息,定义了诸如Flash器件名,sector大小,写入块大小等,参考实现如下:

 

struct FlashDevice const FlashDevice  =  {
   FLASH_DRV_VERS,     // 别改!!!
   "IS25WP128-JBLE",   // 简单粗暴,直接定义
   EXTSPI,             // 设备类型,可选:ONCHIP, EXT8BIT, EXT16BIT, 
                       // EXT32BIT, EXTSPI
   0x30000000,         // Flash首地址,挂载到AHB总线的地址
   0x01000000,         // Flash大小,16MB
   256,                // 烧写Page 大小
   0,                  // Reserved, must be 0
   0xFF,               // Initial Content of Erased Memory
   100,                // Program Page Timeout 100 mSec
   3000,               // Erase Sector Timeout 3000 mSec

   0x001000, 0x000000, // Sector 大小  4KB
   SECTOR_END
};
接下来是FlashPrg.c,负责实现与Flash操作有关的所有函数。这里,让我们继续发扬大树下好乘凉的优良传统。下载RT1170_EVK最新的SDK代码,找到基于flexspi的nor flash工程:boardsevkmimxrt1170driver_examplesflexspi orpolling_transfercm7,这里有一个flexspi_nor_flash_ops.c,里面已经包含了所有flash操作相关的操作函数,不过文件中缺少了FlexSPI引脚的初始化代码,需要进行添加:
IOMUXC_SetPinMux(IOMUXC_GPIO_SD_B2_05_FLEXSPI1_A_DQS, 1U);
IOMUXC_SetPinMux(IOMUXC_GPIO_SD_B2_06_FLEXSPI1_A_SS0_B, 1U);
IOMUXC_SetPinMux(IOMUXC_GPIO_SD_B2_07_FLEXSPI1_A_SCLK, 1U);
IOMUXC_SetPinMux(IOMUXC_GPIO_SD_B2_08_FLEXSPI1_A_DATA00, 1U);
IOMUXC_SetPinMux(IOMUXC_GPIO_SD_B2_09_FLEXSPI1_A_DATA01, 1U);
IOMUXC_SetPinMux(IOMUXC_GPIO_SD_B2_10_FLEXSPI1_A_DATA02, 1U);
IOMUXC_SetPinMux(IOMUXC_GPIO_SD_B2_11_FLEXSPI1_A_DATA03, 1U);

IOMUXC_SetPinConfig(IOMUXC_GPIO_SD_B2_05_FLEXSPI1_A_DQS,   0x0AU);
IOMUXC_SetPinConfig(IOMUXC_GPIO_SD_B2_06_FLEXSPI1_A_SS0_B,  0x0AU);
IOMUXC_SetPinConfig(IOMUXC_GPIO_SD_B2_07_FLEXSPI1_A_SCLK,  0x0AU);
IOMUXC_SetPinConfig(IOMUXC_GPIO_SD_B2_08_FLEXSPI1_A_DATA00, 0x0AU);
IOMUXC_SetPinConfig(IOMUXC_GPIO_SD_B2_09_FLEXSPI1_A_DATA01, 0x0AU);
IOMUXC_SetPinConfig(IOMUXC_GPIO_SD_B2_10_FLEXSPI1_A_DATA02, 0x0AU);
IOMUXC_SetPinConfig(IOMUXC_GPIO_SD_B2_11_FLEXSPI1_A_DATA03, 0x0AU);

 

到void flexspi_nor_flash_init(FLEXSPI_Type *base)函数中。

修改好之后,将文件拷贝并添加到我们刚才找到的FLM工程中,当然还要将原SDK工程中的app.h文件一并拷贝过来。由于需要用到flexspi的底层操作,还需要添加fsl_flexspi.c文件,添加好后的工程长这个样子:

烧写

接下来就是修改FlashPrg.c,首先添加头文件以及函数引用:

 

#include "fsl_flexspi.h"
#include "app.h" 
extern status_t flexspi_nor_flash_erase_sector(FLEXSPI_Type *base, uint32_t address);
extern status_t flexspi_nor_flash_page_program(FLEXSPI_Type *base, uint32_t dstAddr, const uint32_t *src);
extern status_t flexspi_nor_get_vendor_id(FLEXSPI_Type *base, uint8_t *vendorId);
extern status_t flexspi_nor_enable_quad_mode(FLEXSPI_Type *base);
extern status_t flexspi_nor_erase_chip(FLEXSPI_Type *base);
extern void flexspi_nor_flash_init(FLEXSPI_Type *base);
#define FLEXSPI_BASE (FLEXSPI1)
#define FLASH_BASE_ADR (0x30000000)

 

接下来是相应函数的实现,这里有一点需要注意,针对函数传入的adr即地址变量,实际上已经被转换为了映射到AHB总线上的地址,而我们对于Flash的操作都是基于Flash本身的地址而言的,因此需要做一个简单的转换,减去一个偏移量(FLASH_BASE_ADR):

 

int Init (unsigned long adr, unsigned long clk, unsigned long fnc) {
  (void)adr;
  (void)clk;
  (void)fnc;
  flexspi_nor_flash_init(FLEXSPI_BASE);
  return (0); 
}
int UnInit (unsigned long fnc) {
  return (0);                                 
}
int EraseChip (void) {
  return (flexspi_nor_erase_chip(FLEXSPI_BASE)); 
}
int EraseSector (unsigned long adr) {
  return (flexspi_nor_flash_erase_sector(FLEXSPI_BASE, adr - FLASH_BASE_ADR));                                  
}
int ProgramPage (unsigned long adr, unsigned long sz, unsigned char *buf) {
  return ( flexspi_nor_flash_page_program( FLEXSPI_BASE, 
adr - FLASH_BASE_ADR, (uint32_t*)buf));                                  
}

 

至此,我们就完成了所有的代码准备工作。当然,为了让程序能够正常编译,还需要对工程进行配置,其中最主要的是头文件路径以及预编译符号的添加,右键工程属性并添加:

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头文件路径:

烧写

为输出文件起一个专属名字:

烧写

选择正确的芯片类型为MIMXRT1170DVMAA:cm7:

烧写

这样,就完成了所有的准备工作,接下来就是熟悉的编译链接,不过注意,不能点击运行按钮。在当前目录下,找到生成的rt1170_validation_board.FLM, 并将其拷贝到Keil安装目录ARMFlash下。

接下来进行测试,我们直接打开SDK中hello world工程,在工程属性中打开Flash下载页面,点击Add按钮即可看到我们所添加的Flash算法并确定:

烧写

之后就是正常的编译链接烧写之路,最终显示:

烧写

证明我们已经烧写成功,之后进行调试即可正常调试。

烧写

至此,我们就完成了FLM文件的编写,并且在hello_world的工程中进行了测试。

  
      审核编辑:彭静
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