什么是半桥驱动芯片?与普通芯片区别点在哪里?

电源/新能源

3446人已加入

描述

荣湃半导体全新推出Pai8131/Pai8171半桥驱动芯片,可广泛应用于电源模块、电机驱动和白色家电等多种场景。

顾名思义,半桥是相对全桥定义的,即全桥电路中同一侧高边和低边所组成的一半,是一颗驱动芯片,可同时控制半桥上的高侧和低侧MOS管。

由于低侧MOS管驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路;而高侧的驱动电压的参考点是跟随VS电压浮动的,因此如何很好地驱动高侧MOS管是设计能否成功的关键。

MOS管

传统的半桥驱动芯片采用电平转换器Level Shifter,实现输入侧到半桥高侧驱动的控制信号传输。电平转换器的应用限制了高低侧之间的耐压,同时也限制了VS瞬态电压变化速率不能过大。

MOS管

市面上主流半桥驱动芯片VS抗扰度不超过50V/ns,在开关频率较高的应用场合VS抗扰能力不足,会导致芯片内部逻辑错误,造成高低侧开关管同时导通而短路,甚至烧坏功率管。

为了解决这一应用痛点,荣湃半导体创新性地将具有自主知识产权的iDivider智能分压技术用于输入侧到高侧驱动的控制信号传输,提供了较高的时序保真度和传输可靠性。基于原理性优势,荣湃全新推出的半桥驱动芯片,实测高低侧之间耐压在2kV以上VS瞬变电压抗扰度高达100V/ns。

MOS管

Pai8131/Pai8171是基于荣湃iDivider隔离技术的高侧700V耐压的半桥驱动芯片,采用标准SOIC-8封装。其中,Pai8131高侧和低侧分开控制高侧输出与输入逻辑侧同向,低侧输出与输入逻辑侧反向。Pai8171高低侧输出受输入逻辑侧单个引脚同时控制,并带有使能功能,可同时关断高低侧输出。如上所述,Pai8131/Pai8171满足700V母线电压系统应用,且VS瞬变电压抗扰度高达100V/ns。

01

Pai8131

MOS管

02

Pai8171

MOS管

Pai8131/Pai8171可接受的供电电源输入范围宽达10V至20V,并且为 VCC 和 VB 供电提供了 8V UVLO 保护。输入逻辑侧兼容标准CMOS和TTL电平,可支持3.3V、5V或15V的逻辑输入,驱动侧具有峰值290mA的源电流能力和600mA的漏电流能力。

为了防止高低侧开关管同时导通,内置了典型值为520ns的死区时间,Pai8131/Pai8171半桥驱动芯片,可应用于电源模块、电机驱动和白色家电。

编辑:黄飞

 

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分