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Wolfspeed的CMPA601C025以氮化镓为载体(GaN)晶体管具有较高电子迁移率(HEMT)单片微波集成电路(MMIC),处于碳化硅衬底上;采用0.25-μm栅极长度的技术工艺。与硅相比较,SiC上的GaN性能更强;GaAs或GaNonSi;包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si相比较,GaNHEMT还提供了更高的功率密度和更宽的频带宽度;GaAs;和GaNonSi晶体管。CMPA601C025无功功率配对放大器的设计思路能够实现非常宽的频带宽度。
特征
34dB小信号增益值
40W典型PSAT
电压高达28V
高击穿场强
应用
干扰放大器
检测设备放大器
宽带放大器
雷达放大器
CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品,CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴,符合射频的需求,CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界,到微波射频与毫米波芯片产品,CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed,以宽带、大功率放大器产品为特色。
深圳市立维创展科技是CREE的经销商,拥有CREE微波器件优势供货渠道,并长期库存现货,以备中国市场需求。
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CMPA601C025D | GaN on SiC | 6 GHz | 12 GHz | 25 W | 32 dB | 32% | 28 V | MMIC Bare Die | Die |
CMPA601C025F-AMP | GaN on SiC | 6 GHz | 12 GHz | 25 W | 33 dB | 32% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA601C025F | GaN on SiC | 6 GHz | 12 GHz | 25 W | 33 dB | 32% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |
审核编辑 黄昊宇
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