Device Studio构建HfO2模型

描述

Nanodcal是一款基于非平衡态格林函数-密度泛函理论(NEGF - DFT)的第一性原理计算软件,主要用于模拟器件材料中的非线性、非平衡的量子输运过程,是目前国内拥有自主知识产权的基于第一性原理的输运软件。可预测材料的电流 - 电压特性、电子透射几率等众多输运性质。

迄今为止,Nanodcal 已成功应用于1维、2维、3维材料物性、分子电子器件、自旋电子器件、光电流器件、半导体电子器件设计等重要研究课题中,并将逐步推广到更广阔的电子输运性质研究的领域。

本期将给大家介绍Nanodcal半导体器件2.11.1.2.1-2.11.1.2.4 的内容。

2.11.1.2 SiO2(101)建模及计算

2.11.1.2.1 Device Studio构建HfO2模型

(1)从数据库中搜索导入 SiO2-bulk ,如下:

File → Import → Import Oline ,输入 SiO2 搜索,找到 mp-8352 Si2O4 →点击 add ;

(2)点击 Build → Surface/slab 建立 SiO2(101) 面;

(3)点击  Build → Redefine Crystal 在 a 方向上修改参数为 5.2756 。如下图所示:

Device Studio

(4)删除多余原子,然后居中,如下:

Device Studio

(5)点击 Build → Redefine Crystal 在 b方向 上扩抱 3倍 ,并命名为C,如下图所示:

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(6)复制(5)步的结构,删除原子。点击 Simulator → Nanodcal → SCF Calculation → Generate file ,修改K点 10 5 10 ,产生自洽文件。

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2.11.1.2.2 自洽计算

(1)准备输入文件: scf.input ,基组文件: O_DZP_PBE.nad , Si_DZP_PBE.nad ;

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(2)连接Nanodcal服务器:见11.1.1.2自洽计算。根据计算需要设置参数后点击 

save 按钮保存相应的 pbs 脚本,然后点击 run 进行计算。等待计算完毕后点击 Job Manager 所示界面中的 Action 下的下载按钮下载 NanodcalObject.mat 文件

2.11.1.2.3 能带计算

(1)建立nanodcal计算能带的输入文件,如下:

Simulator → Nanodcal → Analysis → BandStructure →->→ Generatefile 。参数默认,产生能带计算的输入文件 BandStructure.input ,同样,右击打开 openwith ,可查看,如下:

Device Studio

 

(2)连接服务器,见11.1.1.2自洽计算。

 

(3)能带计算,见11.1.1.2自洽计算。等待计算完毕后点击 JobManager 所示界面中的 Action 下的下载按钮下载 BandStructure.xml 、 BandStructure.fig 、 CalculatedResults.mat 文件。

2.11.1.2.4 静电势计算

(1)建立 nanodcal 计算静态势的输入文件,包括库仑势和中性原子势,分别计算。点击 Simulator → Nanodcal → Analysis → Potential →->→ Generatefile 。参数默认,产生能带计算的输入文件 Potential.input ,同样,右击打开 openwith ,可查看,如下:

Device Studio

(2)连接服务器,见11.1.1.2自洽计算。

(3)静态势计算,见11.1.1.2自洽计算。等待计算完毕后点击 JobManager 所示界面中的 Action下的下载按钮下载 CoulombPotential.dsf 、 CoulombPotential.fig 、 CoulombPotential.mat 文件。  

      审核编辑:彭静
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