台积电将2024年获高NA EUV光刻机 助于2nm工艺量产

　　最近，据报道，台积电将于2024年收购下一代Asmail的最新极紫外光刻设备，为客户开发相关基础设施和架构解决方案。

　　据消息称，台积电可能会在2025年正式推出2nm工艺，而市场普遍乐观地认为，台积电的2nm工艺技术正在全面领先三星和英特尔。根据数据，台积电的2nm工艺将采用GAAFET架构，在相同功耗下，该架构比台积电3nm工艺快10%至15%，在相同能耗下低25%至30%。应用包括移动计算、高性能计算和完整的小芯片集成解决方案。

　　根据之前公布的信息，High NA EUV光刻设备的单价估计为4亿美元（约28亿元人民币），是现有EUV光印设备的两到三倍。据报道，这种新型EUV系统可以实现0.55数值孔径，与之前配备0.33数值孔径透镜（TWINSCAN NXE:3400B和NXE:3400C）的EUV系统相比，精度将得到提高，并且可以实现更高分辨率的图形。

　　预计N2工艺将于2024年底准备好进行风险生产，并将于2025年底进入大规模生产，客户将于2026年收到首批芯片。

　　综合超能网、天极网和IT之家整合

　　审核编辑：郭婷