ME6403的主要工作性能

ME6403是一款超低压差、3A输出可调的线性稳压器。

典型应用图如下：

       

ME6403主要性能

超低压差

230mV@ IOUT =3A

常规LDO一般采用PMOS作为功率管，压差受到PMOS特性影响。而NMOS管作为功率MOS性能优于PMOS；ME6403采用NMOS功率MOS，极大程度降低了最小压差，提高整体工作性能。

为配合NMOS特性，ME6403采用双电源供电。一个电源是VCNTL，为内部电路供电，另一个是主电源VIN, 用作输出转换来源。双电源架构在保证芯片稳定工作的同时，实现超低压差，从而大大降低电源损耗，使得ME6403的最大带载达到3A。

下图是不同温度下芯片的最低工作电压：

高精度输出

0.8V基准

（全电压、全负载范围±1.5%）

ME6403可通过调整R1、R2电阻的比例来调整输出电压。最低输出电压为0.8V，输出电压可调范围为0.8V~VIN-VDROP。

芯片不仅在压差上实现了超低压差，在负载调整率上也表现优异，IOUT=0~3A，基准电压变化在1mV以内，最大不超过2mV。

下图是当VIN=1.8V，VCNTL=5.0V，VOUT=1.2V时，输出电压随负载变化的曲线图：

快速负载响应

输出电压上冲56mV,

下冲42mV@IOUT=300mA~3A

测试条件：

Ta=25℃，VCNLT=5.0V,VIN=1.8V, VOUT=1.2V, R1=12k, R2=24k,CFB=47pF, CIN=10μF(陶瓷), COUT=10μF(陶瓷)

如图所示，ME6403具有极强的快速负载瞬态响应特点。从300mA到3A的负载切换，只需要约50μS左右的时间就可恢复输出电压的稳定状态，而且在切换过程中的下冲和上冲电压的幅度仅有50mV左右，不会影响负载的正常工作。特别适用于对负载响应要求严苛的应用场合。

PSRR

75dB@1 kHz  VIN电源抑制比

PSRR描述的是LDO抑制输入噪生的能力，ME6403无需使用庞大的输出滤波电容(输出电容仅需10uF),也可提供优异的电源抑制比

VIN=1.8V , VCNLT =5V，COUT=10uF，无输入电容。Io=10mA时的电源抑制比如下表：

VIN电源抑制比

VCNTL电源抑制比

Power-OK（POK）

启动关断阈值和延迟时间

POK引脚具有输出状态指示功能，方便配合灵活的系统设计。此引脚通过检测FB电压来指示输出状态。当输出电压低于额定电压时，则POK电压会被拉低。

当VFB电压从低到高上升达到POK的启动阈值（记为VTHPOK）时，POK输出高电平，此时POK输出电压值与VCNTL的电压值接近，当VFB实际电压值从高到底，低于关断阈值（记为VTLPOK），POK电压会被拉低。

VTHPOK的范围为VFB实测值的90-94％，POK的关断迟滞约为8％。

延迟时间：

POK指示输出电压状态，从VFB达到VTHPOK 到POK值上升，内部设置了约2ms的延迟时间。芯片也可通过POK延迟来控制其他转换器的工作顺序。

ME6403应用场景

ME6403内置上电复位，检测VIN和VCNTL引脚上的电源电压，以防止错误操作，提供稳定的输出电压，具备快速负载响应，而且提供Power-OK 输出功能，方便系统设计，其内部具有完整的系统保护功能包括软启动 (Soft-Start) 、欠压锁定(UVLO) 、短路保护(SCP) 、过温保护(OTP)及过电流保护(OCP)功能而无需使用外部多余组件，使电路设计得到了极大的简化。

ME6403提供ESOP8封装和DFN3*3-10封装，有散热盘，可以增加散热，从而扩展应用的功率范围。因此ME6403非常适用于新式和较大电流的系统，常应用于DDR前端供电、笔记本电脑供电、主板供电等。

　　

      审核编辑：彭静