C波段GaN MMIC功率放大器CMPA2060035

模拟技术

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描述

Wolfspeed的CMPA2060035是根据氮化镓(GaN)HEMT的单片微波集成电路(MMIC)。与硅或砷化镓相比较,氮化镓具备优异的性能指标;包含相对较高的击穿场强;饱和电子漂移效率高,传热系数高。与Si和GaAs晶体管相比较,CMPA2060035具备更高的功率密度和更宽的带宽。CMPA2060035包含二级反应适配放大器设计思路,在极小的占地总面积下实现极其宽的带宽。可以在模具和紧凑型封装铜钨散热器。

特征

28dB小信号增益值

35W典型PSAT

工作电压高达32V

高击穿场强

高温度操作

应用

超宽带驱动软件

光纤驱动器

测试设备

EMC放大器驱动软件

CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品,CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴,符合射频的需求,CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界,到微波射频与毫米波芯片产品,CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed,以宽带、大功率放大器产品为特色。

 

Product SKU Technology Frequency Min Frequency Max Peak Output Power Gain Efficiency Operating Voltage Form Package Type
CMPA2060035D GaN on SiC 2 GHz 6 GHz 35 W 29 dB 42% 28 V MMIC Bare Die Die
CMPA2060035F-AMP1 GaN on SiC 2 GHz 6 GHz 35 W 27 dB 35% 32 V Evaluation Board Flange
CMPA2060035F-AMP GaN on SiC 2 GHz 6 GHz 35 W 27 dB 35% 28 V Evaluation Board Flange
CMPA2060035F GaN on SiC 2 GHz 6 GHz 35 W 27 dB 35% 28 V Packaged MMIC Flange
CMPA2060035F1 GaN on SiC 2 GHz 6 GHz 35 W 30 dB 30% 28 V Packaged MMIC Flange
CMPA2060035F1-AMP GaN on SiC 2 GHz 6 GHz 35 W 30 dB 30% 28 V Evaluation Board Flange

 



审核编辑 黄昊宇

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