荣湃半桥驱动芯片具备哪些出色性能表现

描述

荣湃Pai8131/Pai8171有别于传统半桥驱动芯片,采用了电平转换器Level Shifter,实现输入侧到半桥高侧驱动的控制信号传输。

荣湃半桥驱动芯片具备哪些出色性能表现?本期「技术课堂」荣湃资深技术将作详细解析

荣湃半桥驱动芯片Pai8131/Pai8171是基于荣湃iDivider隔离技术实现的高侧700V耐压的半桥驱动芯片。因为采用隔离技术实现信号传输,高侧承受电压由隔离栅设计决定,可以轻松实现非常高的耐压。

以Pai8131/Pai8171为例,虽然由于爬电距离标称高侧耐压为700V,但实测高侧承受电压在2000V以上。

半桥驱动芯片

得益于隔离技术重要参数指标之一,CMTI共模瞬态抗扰度,Pai8131/Pai8171 VS引脚瞬变电压抗扰度高达100V/ns,非常适合高频、高压、高可靠性的各类桥臂驱动应用场景。

VS引脚产生震荡和负压的原因是当上管关闭时,由于负载呈感性,电流不能突变,电流便会从GND通过下管MOS的体二极管进行续流。在真实电路PCB布线中,该电流路径上会存在寄生电感,续流电流通过路径中的寄生电感,会在VS上产生负压。

电压大小与寄生电感、电流的变化速率成正比。如果负载电流越大,开关频率越高,即di/dt 越大;同时电路中寄生电感越大,则VS引脚产生的震荡和负压就会越大,就会越容易损坏驱动芯片。

半桥驱动芯片

 

半桥驱动芯片

此外,开关频率越大,开通速度越快,VS引脚产生的dv/dt,即电压变化速率越大。如果选择的半桥驱动芯片VS引脚dv/dt 抗干扰能力不足,便会导致驱动芯片内部逻辑错误,可能会使得驱动器的高侧和低侧同时输出高电平。上下管同时打开,造成短路,烧坏上下桥功率管。

半桥驱动芯片

荣湃将隔离技术方案应用于Pai8131/Pai8171半桥驱动芯片中,很好地解决了上述问题。内置了典型值520ns的死区时间,dv/dt抗干扰能力超过100V/ns,VS引脚能承受700V直流高压,非常适合高频、高压、高可靠性的各类桥臂驱动应用场景。

  审核编辑:汤梓红

 

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