移相掩模技术不同的分类方法

为了提高光刻技术的分辨率，多种提高分辦率的技术被开发出来，这也使得光学光刻的应用可以扩展到先进集成电路制造中。移相掩模可以通过降低系统常数提高光刻技术的分辦率，又被称为相移掩模或相位移掩模口。将一个很小的孤立图形从掩模版转移到光刻胶上并不困难，但将许多紧密排列在一起的微小图形从掩模版转移到光刻胶上就很有挑战性，因为光的衍射和干涉会导致相邻部分的光强相互叠加，从而造成投影对比度不足，使图形扭曲变形。为了解决这个问题，人们引入了移相掩模技术。移相掩模的原理是，硅片表面成像光强度是由掩模上各个透光孔产生的衍射波组合确定的.因此可以在掩模版上的开口部分（明亮区或透明区）以间隔的方式形成相位移图形，通过没有相位移涂敷开口部分的光线，会与通过有相位移涂敷开口部分的光线产生破坏性干涉；由于感光材料接收的光强正比于光波振幅的二次方，所以相反的相位移可以提高高密度排列区图像对比度。

光刻图形质量的主要判据是图形成像的对比度，移相掩模方法可使对比度得到改善，从而使得其分辨率比传统方法改善 40%~100%。移相掩模按不同的分类方法可分为多种类型，其基本原理均为相邻透光图形透过的光振幅相位相反而产生相消干涉，振幅零点和（或）频谱分布压窄，从而改善对比度、分辦率和成像质量。

移相掩模技术大体上可分为交替式移相掩模 ( Alternate Phase-Shift Mask, Alt-PSM)、衰减式移相掩模 ( Attenuate Phase - Shift Mask, Att -PSM)、边缘增强型相移掩模、无铬全透明移相掩模及复合移相掩模等类别，其中以 Alt-PSM 和无铬全透明移相掩模两种方式对分辦率改善最为显著，为实现亚波长光刻创造了可能。但是，这两种掩模的制备工艺过于复杂，因此工业界使用最多的是衰减式移相掩模，以及在此基础上发展而来的不透光钼硅掩模(Opaque MoSi on Glass, OMOG)。OMOG 技术具有较小的掩模误差影响因子，可提升光刻品质和成品率。　

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