Xilinx FPGA的电源设计和实现方案

　　本篇主要介绍Xilinx FPGA的电源设计，主要包括电源种类、电压要求、功耗需求，上下电时序要求，常见的电源实现方案等。

　　1、电压种类及要求

　　随着FPGA的发展，其电压类型越来越丰富，主要包括以下几种类型：

　　Processor System电压，主要给Zynq系列SoC中的ARM供电，包括VCC_PSINTFP、VCC_PSINTLP、VCC_PSAUX、VCC_PSINTFP_DDR、VCC_PSADC、VCC_PSPLL、VPS_MGTRAVCC、VPS_MGTRAVTT、VCCO_PSDDR、VCC_PSDDR_PLL、VCCO_PSIO、VCC_PSBATT等；

　　FPGA Logic电压，主要给FPGA逻辑部分供电，包括VCCINT、VCCINT_IO、VCCBRAM、VCCAUX、VCCO、VCCAUX_IO、VBATT等；

　　GTx Transceiver电压，主要给FPGA部分的GTx高速收发器供电，包括VCCINT_GT、VMGTAVCC、VMGTAVTT、VMGTVCCAUX、VMGTAVTTRCAL；

　　System Monitor电压，主要给FPGA部分的ADC供电，包括VCCADC、VREFP；

　　High Bandwidth Memory电压，包括VCC_HBM、VCC_IO_HBM、VCCAUX_HBM；

　　VCU电压，只有Zynq UltraScale+ MPSoC系列带图像处理内核的器件才有，包括VCCINT_VCU；

　　RF电压，只有Zynq UltraScale+ RFSoC系列才有，包括VADC_AVCC、VADC_AVCCAUX、VDAC_AVCC、VDAC_AVCCAUX、VDAC_AVTT、VCCINT_AMS、VCCSDFEC；

　　以上各种电压的供电对象不同，对精度的要求也不一样，针对不同架构的FPGA，其对电压的精度要求也不一样，其纹波范围从2%到5%不等，但整体要求都比较高，而电流要求却越来越大，比如VCCINT最大能到几十安。同时各种电压值不同，有的可以合并，有的却不能合并，同时还需要时序上的控制。

　　针对Zynq UltraScale+ MPSoC（ZU+ MPSoC）、Zynq UltraScale+ RFSoC（ZU+ RFSoC）、Zynq 7000（Z7）、UltraScale +（US+包括VU+和KU+）、UltraScale（US包括VU和KU）、7系列等，对每一类型电压及要求电压值、精度罗列如下表：

 

电压类型		ZU+ MPSoC	ZU+ RFSoC	Z7	US+	US	7 Series
Logic	VCCINT	0.85(3%) 0.72(3%) 0.9(3%)	0.85(3%) 0.72(3%)	1.0(3%) 0.95(3%)	0.85(3%) 0.72(3%) 0.9(3%)	0.95(3%) 0.9(2.2%)KU 1.0(3%)	1.0(3%) 0.9(3%) 0.95(2%) AKV三个系列不同
	VCCINT_IO	0.85(3%) 0.9(3%)	0.85(3%)	×	0.85(3%) 0.9(3%)	0.95(3%) 0.9(2.2%)KU 1.0(3%)	×
	VCCBRAM	0.85(3%) 0.9(3%)	0.85(3%)	1.0(3%) 0.95(3%)	0.85(3%) 0.9(3%)	0.95(3%) 1.0(3%)	1.0(3%) 0.9(3%) 0.95(3%) AKV三个系列不同
	VCCAUX	1.8(3%)	1.8(3%)	1.8(5%)	1.8(3%)		1.8(5%)
	VCCO	√	√	√	√	√	√
	VCCAUX_IO	1.8(3%)	1.8(3%)	1.8(5%) 2.0(3%)	1.8(3%)		1.8(5%) 2.0(3%) A7没有
	VBATT			√	√	√	√
GTx	VCCINT_GT	×	×	×	0.85(3%) 0.9(3%) 只有VU+才有	×	×
	VMGTAVCC	0.9(3%)	0.9(3%)	1.0(0.97~1.08) 1.05(1.02~1.08)	0.9(3%)	1.0(3%) 1.03(3%)VU	1.0(0.97~1.08) 1.05(1.02~1.08)
	VMGTAVTT	1.2(3%)	1.2(3%)	1.2(2.5%)	1.2(3%)	1.2(2.5%) 1.23(2.4%)VU	1.2(2.5%)
	VMGTVCCAUX	1.8(3%)	1.8(3%)	1.8(2.7%)	1.8(3%)	1.8(2.7%)	1.8(2.7%)
	VMGTAVTTRCAL	1.2(3%)	1.2(3%)	1.2(2.5%)	1.2(3%)	1.2(2.5%) 1.23(2.4%)VU	1.2(2.5%)
System  Monitor	VCCADC	1.8(3%)	1.8(3%)	1.8(5%)	1.8(3%)		1.8(5%)
	VREFP	1.25(4%)	1.25(4%)	1.25(4%)	1.25(4%)		1.25(4%)
Processor  System	VCC_PSINTFP	0.85(5%) 0.9(3%)	0.85(5%)	VCC_PSINT(1.0(5%))
	VCC_PSINTLP	0.85(5%) 0.9(3%)	0.85(5%)
	VCC_PSAUX	1.8(5%)	1.8(5%)	1.8(5%)
	VCC_PSINTFP_DDR	0.85(5%) 0.9(3%)	0.85(5%)	×
	VCC_PSADC	1.8(5%)	1.8(5%)	×
	VCC_PSPLL	1.2(3%)	1.2(3%)	1.8(5%)
	VPS_MGTRAVCC	0.85(3%)	0.85(3%)	×
	VPS_MGTRAVTT	1.8(3%)	1.8(3%)	×
	VCCO_PSDDR	DDR  I/O	DDR  I/O	DDR  I/O
	VCC_PSDDR_PLL	1.8(5%)	1.8(5%)	×
	VCCO_PSIO	MIO	MIO	MIO
	VCC_PSBATT	√	√	×
HBM	VCC_HBM				1.2(3%)VU+
	VCC_IO_HBM				1.2(3%)VU+
	VCCAUX_HBM				2.5(3%)VU+
VCU	VCCINT_VCU	0.9(3%)
RF	VADC_AVCC		0.925(3%)
	VADC_AVCCAUX		1.8(3%)
	VDAC_AVCC		0.925(3%)
	VDAC_AVCCAUX		1.8(3%)
	VDAC_AVTT		2.5(3%) 3.0(3%)
	VCCINT_AMS		0.85(3%)
	VCCSDFEC		0.85(3%)

 

 

　　2、功耗

　　FPGA的功耗包括所用逻辑单元数/BRAM数等内部资源、工作时钟频率、切换速率、布线和I/O功耗等。对于I/O功耗，影响因素包括输出类型、工作时钟频率、以及输出的信号翻转数量以及输出负载等。实际功耗取决于特定的系统设计。本部分内容主要针对FPGA logic部分的功耗，而对于Zynq系列，由于其操作系统不同、应用不同，无法进行详细计算，但可以通过软件进行粗略评估。

　　整个FPGA设计的总功耗由三部分功耗组成：芯片静态功耗、设计静态功耗、设计动态功耗。

　　芯片静态功耗：FPGA在上电完成后还未配置时的功耗，主要是晶体管的泄露电流所消耗的功耗。

　　设计静态功耗：当FPGA配置完成后，当设计还未启动时，需要维持I/O的静态电流，时钟管理和其它部分电路的静态功耗。

　　设计动态功耗：FPGA内设计正常启动后，设计的功耗；这部分功耗的多少主要取决于芯片所用电平，以及FPGA内部逻辑和布线资源的占用情况等。

　　2.1、待机功耗（芯片静态功耗）

　　由于漏电流的存在，器件在待机时也会消耗能量。待机功耗随芯片DIE的大小、温度以及工艺的变化而变化。可以利用器件特征参数来模拟待机功耗，并定义为两类：典型功耗和最大功耗。

　　2.2、IO功耗（设计静态功耗）

　　I/O功耗是VCCO功耗，主要来自器件输出引脚连接的外部负载电容、阻抗模式输出驱动电路以及外部匹配网络（如果有）的充放电电流。

　　如前所述，FPGA内部要实际消耗一部分VCCO功耗，外部匹配电阻网络以及输出电容负载消耗了另一部分能量。设计人员在规划散热方案时，应考虑VCCO的内部功耗。作为VCCO电源输出功率的一部分，设计人员也应考虑外部功耗的组成。

　　2.3、动态功耗（设计动态功耗）

　　内部节点改变逻辑状态时（例如，从逻辑0变到逻辑1）会形成器件内部动态功耗，因为它需要能量对逻辑阵列和互联网络的内部电容进行充放电。内核动态功耗包括逻辑单元功耗和导线功耗。LE功耗来自内部节点电容充放电以及内部电阻单元的电流损耗。导线功耗来自每个LE驱动外部导线电容时的充放电电流。内核动态功耗主要来自以下结构单元：

　　LUT

　　RAM模块

　　DSP Slice

　　锁相环（PLL）

　　时钟树网络

　　GTx收发器

　　IP使用情况

　　IO使用情况

　　2.4、功耗设计

　　前两部分的功耗取决于FPGA芯片及硬件设计本身，很难有较大的改善。可以优化的是第3部分功耗：设计动态功耗，这部分功耗占总功耗的90%以上，因此降低设计动态功耗是降低整个系统功耗的关键因素。

　　Tjmax》θJA*PD+TA

　　其中Tjmax表示FPGA芯片的最高结温（maximum junction temperature）；θJA表示FPGA与周围大气环境的结区热阻抗（Junction to ambient thermalresistance），单位是℃/W；PD表示FPGA总功耗（power dissipation），单位是W；TA表示周围环境温度。

　　以XC7K325T-2FFG900I系列芯片为例，θJA=9.7℃/W，在TA=55℃的环境中，想要结温Tjmax不超过100°C的情况下，可以推算FPGA的总功耗为：

　　PD《（Tjmax-TA）/θJA=（100-55）/9.7=4.639W

　　因此实际功耗只要超过此值就需要进行优化处理，优化处理的方法主要有两种：一是降低θJA：热阻抗取决于芯片与环境的热传导效率，可通过加散热片或者风扇减小热阻抗；二是减小PD：通过优化FPGA设计，降低总功耗。下面就针对这两部分进行介绍。

　　2.4.1、降低θJA

　　此部分详见之前的文章《可靠性设计之热设计》。

　　2.4.1、减小PD

　　2.4.1.1、功耗估计

　　Xilinx FPGA的功耗评估常见的有几种方案：Xilinx自己的XPE（可以在xilinx官网上下载到：http://www.xilinx.com/power，它是一个基于excel的工具）、TI的WEBENCH（貌似只有FPGA部分，没有ARM部分）、Vivado软件、开发板实测评估等，这几种方案都可以根据自己的外设进行定制，方便灵活。

　　在低功耗设计之前，需要先进行功耗评估。XPE主要是在项目初期，处于系统设计，RTL代码并未完善阶段功耗估计时使用。在设计完成综合实现后，则可以使用vivado自带的功耗分析工具进行精确计算功耗。打开综合实现后的设计，点击report power即可得到功耗分析的结果。

　　此部分可以参见之前的文章《Zynq UltraScale+系列之“电源”》。

　　2.4.1.2、功耗优化

　　关于FPGA低功耗设计，可从两方面着手：一是算法优化；二是FPGA资源使用效率优化。

　　算法优化

　　算法优化可分为两个层次说明：实现结构和实现方法。首先肯定需要设计一种最优化的算法实现结构，设计一种最优化的结构，使资源占用达到最少，当然功耗也能降到最低，但是还需要保证性能，使FPGA设计在面积和速度上都能兼顾。比如在选择采用流水线结构还是状态机结构时，流水线结构同一时间所有的状态都在持续工作，而状态机结构只有一个状态是使能的，显而易见流水线结构的功耗更多，但其数据吞吐率和系统性能更优，因此需要合理选其一，使系统能在面积和速度之间得到平衡。

　　另一个层面是具体的实现方法，设计中所有吸收功耗的信号当中，时钟是罪魁祸首。虽然时钟可能运行在100MHz，但从该时钟派生出的信号却通常运行在主时钟频率的较小分量（比如12%～15%）。此外，时钟的扇出一般也比较高。这两个因素显示，为了降低功耗，应当认真研究时钟。首先，如果设计的某个部分可以处于非活动状态，则可以考虑禁止时钟树翻转，而不是使用时钟使能。时钟使能将阻止寄存器不必要的翻转，但时钟树仍然会翻转，消耗功率。其次，隔离时钟以使用最少数量的信号区。不使用的时钟树信号区不会翻转，从而减轻该时钟网络的负载。

　　资源使用效率优化

　　资源使用效率优化是使用FPGA内部的一些资源（如BRAM，DSP slice）时，可以优化功耗的方法。FPGA动态功耗主要体现为存储器、内部逻辑、时钟、I/O等的功耗。

　　其中存储器是功耗大户，如xilinx FPGA中的存储器单元Block RAM，因此主要介绍对BRAM的一些功耗优化方法。

　　下图中虽然BRAM只使用了7%，但是其功耗0.614W占了总设计的42%，因此优化BRAM的功耗能有效地减小FPGA的动态功耗。

　　

　　

　　下面介绍一下优化BRAM功耗的方法：

　　使用“NO CHANGE”模式：在BRAM配置成True Dual Port时，需要选择端口的操作模式：“Write First”，“Read First” or “NO CHANGE”，避免读操作和写操作产生冲突，如图6所示；其中“NO CHANGE”表示BRAM不添加额外的逻辑防止读写冲突，因此能减少功耗，但是设计者需要保证程序运行时不会发生读写冲突。

　　

　　

　　设置成“NO CHANGE”后BRAM的功耗从0.614W降到了0.599W，因为只使用了7%的BRAM，如果设计中使用了大量的BRAM，效果能更加明显。

　　控制“EN”信号：BRAM的端口中有clock enable信号，在端口设置中可以将其使能，模块例化时将其与读/写信号连接在一起，如此优化可以使BRAM在没有读/写操作时停止工作，节省不必要的功耗。

　　

　　

　　控制“EN”信号优化后BRAM功耗降到了0.589W。

　　拼深度：当设计中使用了大量的存储器时，需要多块BRAM拼接而成，如需要深度32K，宽度32-bit，32K*32Bit的存储量，但是单块BRAM如何配置是个问题。7 series FPGA中是36Kb 的BRAM，其中一般使用32Kb容量，因此可以配置成32K*1-bit或者1K*32-bit，多块BRAM拼接时，下图中前者是“拼宽度”，后者是“拼深度”。两种结构在工作时，“拼宽度”结构所有的BRAM需要同时进行读写操作；而“拼深度”结构只需要其中一块BRAM进行读写，因此在需要低功耗的情况下采用“拼深度”结构。但需要特别注意的是：“拼深度”结构需要额外的数据选择逻辑，增加了逻辑层数，为了降低功耗即牺牲了面积又牺牲了性能。

　　

　　

　　3、上下电时序

　　3.1、上电时序

　　FPGA通常需要多路供电电压，并且要求一定的上电/断电顺序。顺序上电有助于限制上电期间的浪涌电流。如果忽视器件的供电顺序要求，可能导致器件损坏或闩锁，造成FPGA器件故障。有三种类型的上电时序：同步跟踪、顺序跟踪和比率跟踪。

　　

　　针对各个系列的FPGA芯片，其内部各功能模块的上电时序一般是相互独立的，各个功能模块内部是有先后顺序的要求。详细可参看各个器件的data sheet，其中会有详细的先后顺序约束。

　　3.2、上升单调性

　　启动过程中，电源电压保持单调爬升非常重要，只有这样才能确保器件成功开启。一般的FPGA给出了严格的电压单调上升要求，即电源电压应该连续上升至所设置的稳压值，中间不应发生跌落。如果电源不能提供足够的输出功率，则会造成跌落。

　　

　　3.3、上电时间

　　大多数FPGA规定了启动电压上升速率的最小值和最大值，电源通过在启动过程中逐渐增大限流值实现软启动。软启动减缓了电源电压的上升速率，也降低了注入FPGA的峰值浪涌电流。一般的电源可利用连接在引脚的软启动电容设置软启动时间。

　　3.4、掉电时序

　　断电时序也是需要控制的，标准的时序是把上电时序倒过来。

　　3.5、特殊情况的时序控制

　　经常会有FPGA和ARM等其他CPU互连的情况，为了不损坏器件，此时FPGA和ARM的上电时序既要满足自身的上电时序要求，也要满足对方的上电时序要求，这种情况可以进行如下处理：

　　当FPGA和ARM各自使用自己的配置文件时：由于ARM处于复位状态时IO为输入状态，而FPGA需要完成配置后才能确定其IO的状态，因此ARM和FPGA可以各自进行各自的上电时序，当ARM的上电时序完成后处于复位状态，这样IO为输入状态，当FPGA上电完成后进行配置，配置完成后给ARM一个配置完成信号，此信号去释放ARM的复位，设置对应的IO状态，就不会出现IO冲突了，也不会影响FPGA启动时序，也不会导致FPGA接口出现闩锁效应。

　　当FPGA是使用ARM给配置文件时，不会出现IO冲突的情况，因为FPGA释放复位，进行配置之前，IO是高阻态，FPGA没有配置文件，不会去设置IO状态。

　　4、电源方案

　　目前针对FPGA的常用电源解决方法包括使用单路LDO、单路DC/DC、单颗Power Module、PMIC等。

　　4.1、LDO

　　如果电路板空间有保证，低输出噪声很重要，或者系统要求对输入和瞬态现象快速响应，就应该采用LDO。LDO提供了中低输出电流。输入电容通常会切断输入至LDO的阻抗和噪声。LDO还要求在输出端有一个电容器，以处理系统瞬态响应并提供稳定性。

　　4.2、SMPS

　　当设计效率非常关键且系统要求大输出电流时，开关电源具有优势。开关电源提供比LDO更高的效率，但其开关特性使其对噪声更敏感。与LDO不同，开关电源需要使用电感器，而且可能需要变压器进行DC-DC转换，对PCB空间需求较大。

　　4.3、Power Module

　　Power Module可以省去自己搭建外围电路，且厂家设计的模块一般比自己设计的性能会更好（效率更高、纹波更小），但电源模块一般是在电流需求比较大的情况下会选择。

　　4.4、PMIC

　　由于FPGA的广泛应用，目前针对FPGA的专用PMIC越来越多，从输出电压、通道数、输出电流等方面都能很好的满足特定FPGA芯片的需求，同时PCB占用面积、设计便捷性、价格等方面都比较有优势。ZU+ MPSoC系列可参见之前的文章《Zynq UltraScale+系列之“电源”》，其他系列类似，详细可以参见TI、Infineon、ADI（含凌特）等厂家官网，有相关FPGA系列芯片对应的解决方案。

　　以上就是针对Xilinx FPGA的电源介绍，主要包括了电源的种类、电压要求、功耗分析、上下电时序、电源实现方式等。

　　审核编辑：郭婷