SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境

Si-MOSFET 、Si-IGBT 、GaN-MOSFET、SiC-MOSFET的电压、频率、功率之间的比较如下图所示：

来源：英飞凌，罗姆半导体

GaN 、SiC很有可能在高压高频方面完全取代硅基

SiC MOSFET 主打高压领域；GaN MOSFET 主打高频领域。

根据功率、频率2个维度我们梳理主流功率器件物理特性及适用场合：

Si-IGBT虽然在高压领域具有优势，但是并不能胜任高频领域需求；

Si-MOSFET可以胜任高频领域，但是对于电压有一定的限制；

SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；

GaN-MOSFET由于具有超高频率性能，在5G射频领域前景广阔，目前以5G基站PA为主预计将来会扩宽至终端设备射频领域（如手机）.另外GaN-MOsFET还在1000V内的快充，电动汽车等低电压和中压领域具有很大的潜在应用价值。

编辑：黄飞