详解GaN和SiC器件测试的理想探头

DL-ISO高压光隔离探头

DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，提供非常高的测量精度和丰富的连接方式，是GaN 和 SiC 器件测试的理想探头。

GaN 和 SiC 测试的理想探头

1GHz带宽的DL-ISO高压光学隔离探头是表征氮化镓（GaN）FET/MOSFET和碳化硅（SiC）IGBT以及其他宽禁带（WBG）功率半导体器件的理想选择。

它具有高共模抑制比，这使得它非常适合于上管的浮地栅极驱动测量，包括观察米勒效应。

灵活的探头前端

Teledyne LeCroy DL-ISO探头前端非常灵活，可以弯曲到狭窄的空间，连接简单。

在确定是要测量开关损耗、传导损耗，还是只想利用高共模抑制比进行上管栅极驱动或栅极源极测量时，选择正确的探针前端非常重要。

 



审核编辑：刘清