IPD滤波器与射频滤波器对比

随着 5G 的到来，得益于更高频率、更多载波聚合和 MIMO技术的推动，射频前端市场高速增长。频段数量的增加及 5G 射频前端的复杂性提升推动了对小型化的需求，高度集成的配置使射频前端比以往更加模块化。   SAW、BAW 等窄带滤波器技术在 3G、4G 频段如鱼得水，但无法很好的满足 5G 中高频和宽带的需求，相反 IPD 和 LTCC 恰好能够很好地胜任。因此，在 5G 手机射频前端中，需要针对工作频率、性能指标的不同应用要求，合理的选择包括 IPD, LTCC, SAW 和BAW 在内的多种滤波器技术或其组合，来满足对更高频率、更大带宽以及更佳的插损和带外抑制性能的多样化需求。

那么什么是IPD？集成无源器件 (IPD) 的加工通常采用先进的晶圆制造工艺，包括薄膜工艺和光刻制程等。IPD 制程通常需要高金属导电率和高衬底电阻率来实现高性能无源器件。高加工精度，高良率，成熟稳定的先进晶圆制程使得 IPD 具有众多优点：小尺寸、易于集成、高一致性、低成本、产品链供应和可靠性更好等。作为一项实现小型化低成本无源器件的重要技术，IPD 满足了当前各种无线应用场景对射频前端功能不断增加、集成度不断提高的需求，应用在各种射频无源器件，包括滤波器、双工器、巴伦、耦合器、功分器、衰减器等。

IPD技术，根据制程技术可分为厚膜制程和薄膜制程，其中厚膜制程技术中有使用陶瓷为基板的低温共烧陶瓷LTCC（Low Temperature Co-firedCeramics）技术和基于HDI高密度互连的PCB印制电路板埋入式无源元件（Embedded Passives）技术；而薄膜IPD技术，采用常用的半导体技术制作线路及电容、电阻和电感。下图展示即为IPD滤波器与其它射频滤波器实现形式对比。

 

如下图即为一款可以应用在5G频段的IPD带通滤波器。

IPD 由于市场空间有限，预计到2025年IPD总体市场规模在6亿美元左右，其中定制化滤波器市场规模为3.6亿美元。总的来说IPD且尚还处于挖掘期，行业参与者有限，目前主要采取 Fabless 代工模式，设计端参与者主要包括芯和半导体和卓胜微等，代工厂包括中国台湾联颖等。

编辑：黄飞