面向智能手机和物联网应用的1 beta节点DRAM技术

　　随着设备中进程节点的逐年减少，存储和内存市场已开始实施新技术，以在更小的占用空间内满足更高的内存容量，目标是实现更低的每比特数据成本。

　　DRAM缩放过程使设备能够跟上半导体区域内更快的速度和每平方毫米增加的内存。该过程需要最小化电路，以便数十亿个存储单元可以安装在一美分大小的芯片上。一家处于这一推动力的最前沿的公司是美光科技，他们最近采用了光刻和纳米制造技术，使他们能够实现1β节点DRAM。

　　美光科技的1β（1-beta）DRAM技术作为先进的DRAM技术节点处于量产阶段。1β 以公司之前的 1α （1-alpha） 为基础，旨在为实时、安全关键型应用提供高性能 DRAM 中的低功耗和低延迟，电源效率提高 15%，位密度提高 35%，每芯片容量高达 16Gb。

　　1β采用下一代工艺技术，具有低功耗双倍数据速率5X（LPDDR5X）移动存储器，速度提高到每秒8.5千兆位（Gb）。

　　随着认证样品现在交付给数量有限的智能手机制造商和芯片组合作伙伴，1-beta DRAM将使智能手机等具有更快，更可靠下载速度的移动设备以及其他数据密集型5G和AI应用受益。

　　该公司的LPDDR5X采用1β技术，旨在改善智能手机用例，例如相机启动，夜间模式，人像模式和专业模式摄影，无抖动，高分辨率4K视频录制和手机内视频编辑。

　　美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示：“我们的 1-beta DRAM 的推出标志着内存创新的又一次飞跃，这得益于我们专有的多图案光刻技术与领先的工艺技术和先进材料能力相结合。“在提供世界上最先进的DRAM时，每个内存晶圆的位数比以往任何时候都多，该节点为引入从边缘到云的新一代智能，数据丰富和节能技术奠定了基础。

　　半导体行业的一些公司已经实施了极紫外光等技术来帮助他们缩小设备，但美光科技采用纳米制造和光刻技术，使他们能够在多图案和沉浸技术中工作，以高精度集成小特征，这是智能手机和物联网设备的理想选择。

　　美光已获得投资，并将在其广岛工厂大规模生产1β上的DRAM。但1β对可持续发展充满希望的未来的影响比对公司本身的影响更大。它能够实现较低的每比特功耗，有助于减少碳排放和当今现代设备对能量的过度消耗。

　　据该公司称，1β工艺技术的低功耗每比特功耗为智能手机提供了市场上最节能的内存技术，这可能使智能手机制造商易于开发和部署，并提高电池寿命效率。

　　此外，基于1β的LPDDR5X采用新的JEDEC增强型动态电压和频率缩放扩展核心（eDVFSC）技术，通过添加eDVFSC，可以将频率提高一倍至每秒3，200兆比特，有助于节省功耗和提高能效。

　　当今的存储设备别无选择，只能满足行业、这些设备的用户和全球可持续发展目标的需求，这些目标都需要节能和高带宽内存以及更高的处理速度。

　　审核编辑：郭婷