GaN高功率整流器的设计 氮化镓整流器的电气特性

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动机

理论计算

氮化镓材料参数

固有载流子浓度

击穿电压 (VB)

通态电阻 (RON)

正向压降 (VF) 和漏电流 (IR)

器件建模

边缘端接技术的击穿研究

氮化镓整流器的电气特性

实验数据

带场板端接的 GaN 高压二极管

高功率肖特基二极管阵列（GaN 和 SiC）

编辑：黄飞