介绍一款超小型封装尺寸的1Mbit串行FRAM—MB85RS1MT

存储技术

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描述

富士通是一家通过不断创新全球化信息通信技术的公司。为广大用户开发了众多的优质产品。

还开发出业界中具有超小型封装尺寸的1Mbit 串行FRAM——MB85RS1MT,MB85RS1MT是131,072字x 8位FRAM(铁电随机存取存储器),使用铁电工艺形成非易失性存储单元,并采用硅栅CMOS工艺,采用串行外围设备接口(SPI)。

可以保留数据,而无需使用数据备份电池,例如SRAM。使用的存储单元可以执行1013次写/读操作,大大超过了闪存或E2PROM可以重写的次数。

不需要像闪存和E2PROM这样的长写入时间,并且写入等待时间为零。 因此,无需等待写入完成序列。

EEPROM

MB85RS1MT是一款有8引脚晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)的产品,与传统业界标准SOP封装相比,此款WL-CSP大约为SOP的23%,能够减少约77%的安装面积。

而且本WL-CSP的厚度为0.33mm,约是信用卡的一半,从安装体积比来看,能够减少大约95%的体积。是富士通半导体提供的最大密度容量的串口FRAM。

另外与同为非易失性存储器的通用EEPROM相比,MB85RS1MT的写入时间较短,从而能够大幅降低写入时的功耗。

EEPROM

写入时的功耗对比

因此将该FRAM引入需要频繁实时记录原始数据的可穿戴设备,将有利于延长电池的使用寿命或实现电池的小型化。

审核编辑:刘清

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