产品教程|Nanodcal 材料学与化学(生成能02)

描述

Nanodcal是一款基于非平衡态格林函数-密度泛函理论(NEGF - DFT)的第一性原理计算软件,主要用于模拟器件材料中的非线性、非平衡的量子输运过程,是目前国内拥有自主知识产权的基于第一性原理的输运软件。可预测材料的电流 - 电压特性、电子透射几率等众多输运性质。

迄今为止,Nanodcal 已成功应用于1维、2维、3维材料物性、分子电子器件、自旋电子器件、光电流器件、半导体电子器件设计等重要研究课题中,并将逐步推广到更广阔的电子输运性质研究的领域。

本期将给大家介绍Nanodcal材料学与化学 5.4.3-5.4.3.1 的内容。

5.4.3. GaAs中Ga空缺形成能计算

5.4.3.1. 模型搭建

将在5.3.2中搭建的GaAs中的Ga原子删除,得到空缺Ga的GaAs晶体结构:

模拟器件图 5-17:

5.4.3.2. 自洽计算

(1)同2.2节,准备好输入文件 scf.input ,As_LDA_DZP¬.nad

模拟器件

(2)开始计算,步骤同2.2节(2)。

5.4.3.3. 形成能计算

(1)准备输入文件 TotalEnergy.input ,计算Ga空缺的GaAs的总能:

模拟器件

(2)计算形成能:

模拟器件

5.4.4. MgO(100)表面O缺陷的形成能计算

5.4.4.1. 模型搭建

(1)从数据库中搜索导入MgO,如下:

File → Import → Import Local ,找到文件夹 metal_xides → MgO.hzw ,点击 打开;

(2)点击 Build-Surface/Slab ,对MgO做(100)方向的切面,并点击 Build :

模拟器件图 5-19:

(3)从数据库中搜索导入O,如下:

File → Import → Import Online ,输入O,导入O的晶体结构,并点击 Add ,导入结构:

模拟器件图 5-20:

5.4.4.2. 自洽计算

(1)以MgO为例,准备好输入文件 scf.input ,Mg_LDA_DZP¬.nad ,O_LDA_DZP-.nad

模拟器件

(2)开始计算,步骤同2.2节(2)。

5.4.4.3. 形成能计算

(1)准备输入文件 TotalEnergy.input ,计算O空缺的MgO的总能;

模拟器件

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