必须要了解的知识ROM、FLASH、硬盘技术知识

必须要了解的知识ROM、FLASH、硬盘技术知识

在嵌入式开发中，如果芯片内部有Flash，应用程序通常保存在芯片内部FLASH中，比如Cortex-M系列的单片机；如果芯片内部没有Flash，则应用程序通常保存于外部的NAND FLASH中，比如Cortex-A系列的芯片。这些Flash都是可以通过软件编码进行重新编程。

在计算机发展早期，数据是存储在ROM中，ROM中的数据只读不可写，应用有限，直到后面出现的EEPROM、NAND存储器，使得计算机存储技术的应用得到快速发展，特别是近十年广泛应用的高速存储技术eMMC与UFS，推动消费电子领域的快速发展，比如手机存储技术，小米11，使用了UFS3.1技术。

 

存储器的发展

 

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存储器的快速发展得益于半导体技术的发明与发展，特别是晶体管与CMOS管的发明，通过电信号来控制自身开合，以开关的断开和闭合来代表0和1，这些就是存储电路的基本逻辑构成，随着集成电路的出现，ROM存储技术也随之产生。如下简要了解存储技术的发展史：

 

 

 

ROM

 

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ROM是Read Only Memory的简称，即为只读存储器。ROM内部的程序是在ROM的制造时被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能读取内部的数据，不能再作任何修改。如果发现ROM的内容写错，则该ROM芯片只能报废。由于ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。

 

PROM

 

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由于ROM在出厂时已被固化，用户无法定制自己的程序和数据，因此进行了改进，出现了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。也就是出厂时ROM里面没有数据即全为1，用户可以用专用工具进行固化程序数据到ROM中，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片也只能报废。

 

EPROM

 

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PROM这种只能一次性编程显然成本高不符合开发需求，因此EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片出现，通过紫外线可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。

EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。

EPROM的型号有以27开头的系列，如2764(8*8K)是一片64K Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入程序后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使程序丢失。

虽然EPROM可多次擦除编程，但是由于需要编程器，所以EPROM还是不是很方便使用，因此 EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）随着产生。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位， 不需要全部擦除再写入，很适合嵌入式设备的外部存储器。

目前EEPROM还有在使用，以Ateml公司的AT24C系列的CMOS E2PROM为例，其采用IIC通信接口，电压1.8-3.6V，嵌入式设备应用很广泛。

 

Flash

 

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Flash目前主要是Intel于1988年开发出的NOR flash技术和1989年东芝公司开发的NAND flash技术；它们的出现彻底改变了存储器市场上由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。

这两种技术区别在于接口与内部存储结构。在接口方面，NOR flash有独立的地址与数据线，而NAND flash没有，他们的特性区别如下表所示：

内部结构方面（基于SLC NAND），如下表所示区别：

5.1 nor flash

NOR Flash最大特点是支持XIP(Execute On Chip），既程序可以直接在NOR flash的片内执行，在NOR Flash中的代码运行时不需要重定位复制到RAM内。

如上图所示Nor Flash，型号为MX29LV160。

NOR Flash的地址线和数据线分开，只要能够提供数据地址，数据总线就能正确给出数据。不过不能直接对它进行写操作，执行写操作之前需要先发送固定的命令序列，然后发送写操作的地址和数据。

NOR Flash存储器的最小访问单元一般分为8位和16位的，也有一些NOR Flash器件同时支持8位和16位模式，这种Flash的位宽可以在设计硬件时选择，当芯片的BYTE#引脚接为高电平，芯片工作在位宽16位模式，BYTE#引脚设为低电平时，芯片工作在位宽8位模式。

NOR Flash一般有多个扇区，扇区是NOR Flash擦除的最小单位，Nor Flash中每个扇区的大小也不是固定的。

MX29LV160为例，写时序图如下所示（地址与数据总线是独立的）：

读时序图如下所示，具体可参考数据手册：

5.2 nand flash

5.2.1、nand类型

Nand flash是现在使用最多的闪存技术，现在主流的SD卡、eMMC、UFS、SSD等都是基于Nand flash技术的。但是Nand flash根据其存储单元的类型，可分为SLC、MLC、TLC、QLC、PLC、…… 后续会有很多类型的LC系列。这些类型的区别是同一个存储单元可以表示 的数据位数不同，以SLC、MLC、TLC、QLC为例如下图所示：

SLC：一个单元表示1bit数据；

MLC：一个单元表示2bit数据；

MLC：一个单元表示3bit数据；

QLC：一个单元表示4bit数据；

因此同样尺寸大小的nand flash，基于QLC可以存储的容量是SLC的4倍之多。但是虽然存储容量多，但是在读写速率、擦除寿命及稳定性上却是更低的，目前市面上比较多的是基于SLC、MLC、TLC单元结构的，特性对比如下：

SLC读写快，寿命长，但价格贵，容量低；而TLC读写慢，寿命短，但价格便宜，容量高。所以市面上基于nand flash的产品中，低端产品大部分都是TLC，中端产品大部分都是mlc，企业级的高端产品就是用SLC，追求的是稳定。

5.2.2、2D与3D技术

现在市场上追求的是设备的小型化，但是容量要求最大化，因此通过不断地提升制程工艺技术，减小每个存储单元的大小，如从45nm到16nm（目前最先进制程为高通骁龙888处理器达5nm），能到达同样的芯片体积存储容量进行扩大。

但是制程提高也带来了一个瓶颈，当随着制程工艺提高，每个存储单元越小，nand单元颗粒的氧化层越薄，可靠性越低，特别是QLC这种一个存储单元表示4bit/cell数据，影响更大。

假设存储单元电压是 1.8V，对 SLC 而言，一个 bit 有二个状态，平均分配 1.8V 电压，每个状态可以分到 0.9V；对 MLC 而言，四个状态平均分配电压，每个状态可以分到 0.45V，以此类推，TLC 每个状态只可以分到 0.225V，而 QLC 更惨，每个状态只可以分到 0.1125V。在这么小的电压下，这么多的状态以极小的电压区隔，电压区隔越小越难控制，干扰也越复杂，而这些问题都会影响 TLC 或 QLC 闪存的性能、可靠性及稳定性。

Nand 2D技术属于平面闪存（Planar NAND）范畴，其通过工艺提高容量瓶颈在10/9nm上；因此Nand 3D技术早在2007年就被提出来，即立体结构闪存。举例说明：如果2D是平房，则3D就是高楼大厦，3D就是N层的2D闪存的堆叠，如上图所示。

但是3D并不是简单的进行堆叠，不同的公司有不同3D技术工艺，在3D闪存中具有代表性的工艺有：

也正因为3D NAND的技术，使得部分采用相应技术的TLC产品达到了MLC的性能，就是我们常说的3D TLC。而三星、美光等大厂的第四代颗粒3D QLC产品也已经投入了市场，让广大消费者体验到了更高的容量、更低的价格、更快的读写性能。

随着3D Nand的出现，2D由于无法在缩小单元尺寸的瓶颈限制，已经走到尽头，现在最新的3D堆叠层数达到了128层，如下图所示：

5.2.3、nand接口与时序

Nand flash比nor flash写/擦除快，寿命长，成本低，得到更加广泛的应用，但是其没有独立地址总线与数据总线，地址与数据共用8bit/16bit IO，因此其读取速率方面比nor略低一些。

以美光MT29F系列nand flash为例（如MT29F16G08），其复用8bit或16bit IO用于传输命令、地址、数据，同时有5组控制信号CE#,CLE,ALE,WE#,RE#，还有WP写保护与R/B状态信号线。

各个引脚功能描述如下表所示：

写命令时序：

写地址时序：

数据写入时序：

数据读取时序：

以上读写MT29F系列芯片的具体命令与地址信息组成可参考MT29F系列的规格书，网盘地址为：

链接：

https://pan.baidu.com/s/15SHhADiX1uD4CCDA20nXvQ

提取码：d80g

审核编辑 ：李倩