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CREE的CGHV27030S无与伦比;提供高效率的氮化镓(GaN)晶体管具有较高电子迁移率(HEMT);高增益和宽带宽性能。CGHV27030SGaNHEMT设备特别适合频率700-960MHz通讯网络应用;1200-14000MHz;1800-2200MHz;2500-2700MHz;在50V和28V使用下为3300-3700MHz。CGHV27030S非常适合频率20-2500MHz战术通讯网络应用;包含地面移动无线通信。其它应用包含L波段雷达和S波段雷达。CGHV27030S能够使用50V或28V电源轨运转。晶体管规格尺寸为3mmx4mm;表面贴装;双平无导线(DFN)封装。
特征
2.5–2.7GHz操作
30W典型输出功率
5WPAVE时增益值为20dB
-34dBcACLR在5WPAVE
5WPAVE时效率为30%
能够应用极高的APD和DPD校准
应用
蜂窝基础设施建设
战术通讯网络
L波段雷达
S波段雷达
CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品,CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴,符合射频的需求,CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界,到微波射频与毫米波芯片产品,CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed,以宽带、大功率放大器产品为特色。
深圳市立维创展科技是CREE的经销商,拥有CREE微波器件优势供货渠道,并长期库存现货,以备中国市场需求。
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV27030S-AMP2 | GaN on SiC | 2.5 GHz | 2.7 GHz | 30 W | 21 dB | 32% | 28 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGHV27030S-AMP3 | GaN on SiC | 1.8 GHz | 2.2 GHz | 30 W | 21 dB | 32% | 28 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGHV27030S-AMP4 | GaN on SiC | 1.8 GHz | 2.2 GHz | 30 W | 21 dB | 32% | 50 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGHV27030S-AMP5 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 30 W | 21 dB | 32% | 50 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGHV27030S-AMP1 | GaN on SiC | 2.5 GHz | 2.7 GHz | 30 W | 21 dB | 32% | 50 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGHV27030S | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 21 dB | 32% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Surface Mount |
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