易失性存储器(VM)

在过去几十年内，易失性存储器没有特别大的变化，主要分为DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)。它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。

 

 

DRAM

DRAM由许多重复的位元格组成，每一个基本单元由一个电容和一个晶体管构成。电容中存储电荷量的多寡，用于表示“0”和“1”。而晶体管，则用来控制电容的充放电。

 

 

由于电容会存在漏电现象。所以，必须在数据改变或断电前，进行周期性“动态”充电，保持电势。否则，就会丢失数据。因此，DRAM才被称为“动态”随机存储器。

DRAM一直是计算机、手机内存的主流方案。计算机的内存条(DDR)、显卡的显存(GDDR)、手机的运行内存(LPDDR)，都是DRAM的一种。(DDR基本是指DDRSDRAM，双倍速率同步动态随机存储器。)

值得一提的是，显存这边，除了GDDR之外，还有一种新型显存，叫做HBM(HighBandwidthMemory)。它是将很多DDR芯片堆叠后，与GPU封装在一起构成的(外观上看不到显存颗粒了)。

SRAM

SRAM大家可能比较陌生。其实，它就是我们CPU缓存所使用的技术。SRAM的架构，比DRAM复杂很多。

SRAM的基本单元，则最少由6管晶体管组成：4个场效应管(M1,M2,M3,M4)构成两个交叉耦合的反相器，2个场效应管(M5,M6)用于读写的位线(BitLine)的控制开关，通过这些场效应管构成一个锁存器(触发器)，并在通电时锁住二进制数0和1。因此，SRAM被称为“静态随机存储器”。

 

 

SRAM存储单元

SRAM不需要定期刷新，响应速度快，但功耗大、集成度低、价格昂贵。所以，它主要用于CPU的主缓存以及辅助缓存。此外，还会用在FPGA内。它的市场占比一直都比较低，存在感比较弱。

审核编辑：汤梓红