高频高频QR GaN控制器在Flyback拓扑快充产品上的应用

作为比较成熟的第三代半导体材料，氮化镓(GaN)功率器件基于其极快的开关速度，优秀的导通阻抗，以及极低的开关损耗，可以使Flyback拓扑的工作频率提升到500kHz以上，在缩减电源体积的同时能够提升电源的转换效率；

因此，GaN在Flyback拓扑的快充产品上得到了广泛的应用。

芯茂微第二代高频高频QR GaN控制器

LP884XXX系列产品，专门针对GaN的特性而进行了优化设计：

01

在QR模式下，工作频率25kHz~500kHz，并具有谷底锁定开通模式；

02

内置高压启动（HV）和X电容泄放功能；

03

极轻载时“软跳频”工作模式可实现低功耗、无噪音；

04

芯片内置输出电流感应和计算单元，可以准确控制电源的输出过流点；

05

丰富的保护功能，根据保护后动作的不同，分为：

多种版本•全方位适应各种应用场景

 

管脚封装

型号LP8843DCD提供一个耐压高达200V的VccH管脚，以及一个耐压35V的VccL管脚；可以很方便的用这两个管脚组成双绕组供电方式，以节约高压输出时的功率消耗；亦可以只使用VccH管脚，以节约外部LDO器件或Vcc绕组及整流滤波电路的成本。

左图：LP8843双绕组：降低高压输出功耗，降低待机功耗

右图：LP8843单绕组：无需外接LDO电路，节省成本    

65W PD Demo

转换效率可达94%以上

多重噪音抑制功能

精准谷底锁定开通•软跳频•对称抖频

精准输出过流点控制

芯片内置精确的输出电流感应和计算单元

优异的待机功耗

审核编辑：刘清