慧能泰全新超高集成度USB PD协议芯片HUSB380，内置低阻抗N-MOS

HUSB380是慧能泰半导体全新推出的一款高集成、高性能、小尺寸的USB PD Source芯片，支持15W~65W功率输出，有利于小型化快充电源设计。

HUSB380 符合最新的Type-C 2.1和USB PD3.1标准，支持PD3.0、PD2.0、PPS、QC2.0/QC3.0、FCP、AFC、BC1.2 DCP、SCP等协议，支持多达5个具有可编程电压和电流的FPDO 和2个APDO。它内置了低阻抗N-MOS，集成了过压保护(OVP)、欠压保护 (UVP)、欠压锁定(UVLO)、过流保护 (OCP) 、快速过流保护(FOCP)和热关断(TSD)等必需的保护，具有超高的集成度。HUSB380采用QFN-32L(4 mm x 4 mm)的封装形式，适用于各类AC-DC电源适配器、车载充电器等应用。

图1. HUSB380的典型应用参考图

| HUSB380产品特性

符合USB Type-C 2.1标准、PD3.1标准

支持5个可编程的FPDO

支持2个可编程的APDO

支持BC1.2 DCP、HVDCP、PD2.0、PD3.0、PPS、QC2.0/3.0、Divider 3、SCP、AFC、FCP等

支持恒定电压环路(CV)和 恒定电流环路(CC)模式

通过PS0、PS1引脚可配置额外7个功率级别

内置低阻抗N-MOSFET

集成了OVP、UVP、UVLO、OCP、FOCP和TSD等

QFN-32L(4 mm x 4 mm)封装

图2. HUSB380引脚封装效果图

| HUSB380典型应用参考设计

图3. HUSB380 单C口参考设计小板实物图

基于HUSB380实现的单C口快充电源设计，可以支持动态降功率，通过引脚在18W、20W、25W、30W、45W和60W之间切换。HUSB380采用QFN-32L(4 mm x 4 mm)，相同引脚数下，DFN封装具有体积小、重量轻等优势。另外，QFN封装的底部中央通常为一个大面积裸露焊盘，可以用来导热，所以HUSB380还具有良好的散热性。

另外，因为HUSB380内置了低阻抗N-MOSFET，可简化电路设计，节省电路板空间并大大降低BOM成本。

审核编辑：汤梓红