18W PD快充芯片U6615S有效缩短充电时长

18W PD快充芯片U6615S有效缩短充电时长  

为了满足5G、大屏幕以及处理器的负载要求，智能手机势必要搭载越来越大容量的电池。在不能过多的增长手机的体积以及重量的情况下，手机厂商都执着于不断发展快充技术。采用深圳银联宝科技的PD快充芯片U6615S，可有效缩短充电时长，及时给手机续航。

低待机功率、低功耗、低电磁兼容性

和低成本的PD快充芯片U6615S

结合了一个专用的电流模式PWM

带4A/630V MOSFEET的模式控制器，

适用于18W范围内的离线反激变换器输出功率。

U6615S集成 650V MOSFET，±4% 恒流、恒压精度，

待机功耗<70mW，多模式原边控制方式，

工作无异音，优化的动态响应，可调式线损补偿，

集成线电压和负载电压的恒流补偿，

集成有多种保护功能：VDD欠压保护(UVLO)、VDD过压保护(OVP)、

逐周期限流保护 (OCP)、短路保护(SLP)和VDD箝位等。

PD快充芯片U6615S具有数字频率

洗牌技术进行改进电磁干扰性能，

固定65k HzPWM开关频率，

低待机功耗(<75米W@230Vac)；

软启动，以减少MOSFET VD S应力；

低启动电流(<10uA@VCC=12V)。

输出规格为5、9、12-18W，

应用于PD/QC市场，VDD-40V max18W，

引脚特征如下：1 脚GND 芯片参考地。

2 脚VDD 芯片供电管脚。

3 脚FB 反馈输入管脚。闭环控制时连接于

光电耦合器相连，此脚位电压决定了

PWM驱动信号的占空比和CS管脚的关断电压。

4 脚CS 电流采样输入管脚

5、6、7、8 脚D 内置功率 MOSFET 漏极。

审核编辑 ：李倩