ESD设计在芯片的可靠性中尤为重要,而其中电源的ESD钳位电路的设计对芯片的ESD表现的影响更为显著。本文简单介绍了电源的ESD钳位电路是如何影响芯片的ESD工作,以及介绍一种常用的电源ESD钳位电路。
图1 pin-to-pin ESD测试时的ESD电流通路 (一个pin加ESD电压,另一个pin接地)
图1给出了pin-to-pin ESD测试时的ESD电流泄放通路,在进行该测试时,一个输入引脚被施加一个正向ESD电压,而其他的引脚中的一部分相对于该引脚接地,同时VDD和VSS浮空。输入PAD的正向ESD电压此时先通过输入保护二极管Dn1泄放电荷到VSS上,之后通过输出PAD上的NMOS泄放电荷到输出接地引脚。然而,在Dn1发生击穿以泄放ESD电流之前,ESD电流会通过正偏二极管Dp1流向浮空的VDD电源线,之后ESD电流会通过电源线流向IC的内部电路并通过内部电路泄放电荷到VSS,从而造成IC的损坏(如图1中虚线所示)。
造成上述结果的主要原因是图1中还没有考虑电源线之间的ESD保护,一般在电源之间常采用栅极接地NMOS(gate-grounded NMOS,GGNMOS)作为ESD钳位器件进行ESD过压保护,如图2所示。
图2 使用GGNMOS作为VDD与VSS之间的ESD钳位器件后,pin-to-pin ESD测试时的ESD电流通路
如图2所示电路,在进行pin-to-pin或者VDD-to-VSS的ESD测试时,VDD和VSS之间的ESD电压通过GGNMOS的snapback-breakdown现象被钳位,ESD放电通过GGNMOS完成,从而对IC内部进行了保护。同时,需要保证GGNMOS具有足够强的能力,足够快的速度处理绝大部分的ESD放电电流以避免IC内部电源线之间出现能够发生损坏的泄放电流。
为了更高效地在内部电路被损坏之前钳位VDD和VSS之间ESD电压,可以采用如图3所示的ESD瞬态检测电路负责打开VDD和VSS之前ESD钳位NNMOS。ESD瞬态检测电路用来检测ESD的触发从而控制ESD钳位NMOS的栅压,因此ESD钳位NMOS通过栅极正电压被导通而不是漏极的snapback-breakdown,ESD钳位NMOS因此可以在内部电路被ESD过压损坏前被及时导通以对ESD电路进行泄放。
图3 使用ESD瞬态检测电路后,pin-to-pin ESD测试时的ESD电流通路
在pin-to-pin ESD发生时,ESD电流从输入pin流入浮空的VDD,浮空的VSS初始状态通过输出pin NMOS的寄生二极管Dn2和输出接地pin来偏置至“地”,因此,ESD瞬态检测电路被ESD电压偏置从而导通ESD钳位NMOS以提供VDD和VSS之前的短路路径来泄放ESD电流,ESD电流因此可以有效地通过Dp1,ESD钳位NMOS,Dn2这一路径进行泄放,如图3中的虚线所示。(工作在正偏下的器件可以支持比反偏时更高的ESD电流)。但是,当IC工作在正常供电的状态时,ESD钳位NMOS必须保持断开以避免VDD和VSS之前存在电流导致额外的功耗浪费。
图4 基于RC的ESD检测电路组成的电源ESD钳位电路
图4为一个常用的基于RC的ESD检测电路,该电路可在ESD电压出现在VDD和VSS之间时工作,而在IC正常供电时关闭,而为了实现上述功能,RC的时间常数一般被设计在0.1-1us的范围内(比ESD上电慢,比正常上电快)。
初始状态下,整个IC浮空且不供电,图4中的节点Vx和VG具有和VSS相同大小的电压。当VDD上出现ESD过压时,电容C将会被充电,Vx节点的电压因此升高。ESD过压触发的时间一般在10ns左右,因为RC电路的时间常数在us级别,因此Vx电压的升高远慢于VDD电压升高。由于Vx节点电压升高的延迟,Mp在这段延迟时间内导通并将ESD钳位NMOS的栅电压抬高,ESD钳位NMOS因此被导通来泄放从VDD到VSS的ESD电流,VDD和VSS之间的电压因此可以被钳位在很低的电压值,IC内部电路也因此被保护。ESD钳位NMOS导通的时间可以通过改变RC时间常数来进行调整。
在电路正常上电时,VDD上电时间一般在ms级,对如此慢的上电时间,Vx可以保持及时跟随VDD变化从而保证Mp断开,而Mn保持导通,VG因此保持为0V,ESD钳位NMOS因此可在VDD正常上电或者正常工作时保持关断,不会有额外的电流损耗。
然后,实际的放电通路还和电源ESD钳位电路与pin的距离有关,为了保证pin-to-pin ESD触发时图3所示的泄放通路总能在内部电路被损坏之前形成并泄放ESD电流,在电路设计时应该设计足够短的电源ESD钳位电路至pin之间的距离,或者是在pin之间插入足够多的电源ESD钳位电路。
本文简单介绍了电源的ESD钳位电路是如何影响芯片的ESD,以及介绍一种常用的电源ESD钳位电路,希望对读者有所帮助,不足之处多多指正。
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