第三代半导体碳化硅器件在应用领域的深度分析
描述
SiC（碳化硅）器件作为第三代半导体，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等特性，碳化硅器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和新能源汽车、光伏、航天、军工等环境应用领域有着不可替代的优势...以下针对SiC器件进行深度分析：
审核编辑：郭婷
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