前段集成工艺（FEOL）-4

补偿侧墙 （Offset Spacer）和n/p 轻摻杂漏极 (n / pLDD)工艺

补偿侧墙和 n/p 轻摻杂漏极工艺示意图如图 所示。

首先沉积一薄层氮化硅或氮氧化硅（通常约2nm），然后进行回刻蚀（etch-Back)，在栅的侧壁上形成一个薄层侧墙(Spacer)。在补偿侧墙刻蚀后，剩下的氧化层厚度约为 2nm。 在硅表面保留的这一层氧化层，在后续每步工艺中将发挥重要的保护作用。补偿侧墙用于隔开和补偿由于 LDD 离子注入（为了减弱短沟道效应）引起的横向扩散，对于 45nm/28nm 或更先进的节点，这一步是必要的。 然后分别对n-MOS和 p-MOS 进行轻掺杂漏极（LDD）离子注入。完成离子注入后，用尖峰退火(Spike Anneal)技术去除缺陷并激活 LDD 注入的杂质。nLDD 和pLDD离子注入的顺序、能量、剂量，以及尖峰退火或 RTA 的温度，对晶体管的性能都有重要的影响。

审核编辑 ：李倩