氮化镓的优势特点！

传统上，半导体生产中最常用的材料是硅（Si），因为它丰富且价格合理。但是，半导体制造商可以使用许多其他材料。此外，它们中的大多数还提供额外的好处，例如碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）。在这些潜在材料中，氮化镓或氮化镓正得到广泛认可和青睐。这是因为GaN晶体管与材料晶体管相比具有几个优势。

GaN晶体管，甚至是SiC晶体管上的GaN，具有高击穿容限、增强的导热性、更快的开关速度和更低的导通电阻。这使得它们比硅基器件更全面。这些特性具有许多优点，使材料和技术对现代应用具有吸引力。

什么是氮化镓晶体管？

氮化镓可以显著增强半导体的性能和设计。它具有高电子迁移率，这意味着与其他材料相比，它可以在更高的频率下以更高的效率支持更高的增益。更重要的是，其高活化能提供了出色的热性能，以及更高的击穿电压。晶体管必须能够承受多种热量、能量和环境条件。当他们失败时，它可能会使整个系统瘫痪。

这些优点造就了更好的半导体和为可靠性和效率提供可喜福音的设备。一些真实世界的例子可能有助于展示它的真正前景。由于氮化镓晶体管可以承受更大的温度范围，并且可靠，因此它们可用于坚固耐用的全天候技术。电信领域也在放大器中使用它们。为什么？它们允许更宽的信号带宽，创建更强大，更强大的通信设备。这些放大器还使用更少的能量，从而在不影响效率的情况下降低了运营成本。

赋能物联网

物联网半导体具有传统设备所没有的独特要求.它们必须能够利用低功耗，并在这些条件下高效运行，并具有内置的安全措施，并且外形尺寸要小得多。更糟糕的是，物联网和IIoT已经变得流行起来，这是有充分理由的。现在，半导体和相关设备的需求量很大。然而，没有多少材料或技术可以适应这些限制。

氮化镓晶体管绝对可以。虽然前期材料可能更昂贵，但由于获得的好处，回报是值得的。

更小的外形尺寸

与同类器件相比，GaN晶体管具有更高的功率密度、更高的导热性和更高的击穿电压。最重要的是，它们的功率要求要低得多，因此您可以用更少的资源获得更多。这使得设计和制造更小外形的设备成为可能，既适合更小、更薄的技术，又不会影响功耗、可靠性或安全性。

考虑到我们在当今环境中的许多旗舰技术正在尽可能地精简，这是一个巨大的福音。

更轻的科技

纤薄或小巧的外形并不能使其轻巧，尤其是当您将大量内容打包到一个小框架中时。但是，由于GaN晶体管可以适应更高的开关频率，因此电路中使用的支持电感器和电力电容器也不需要那么大。不管使用更小的硬件的成本效益如何，它还显着降低了最终产品的重量和体积。

这不仅让位于更纤薄和更小的技术，而且让位于更轻的技术，具有更高的性能和效率等级。

更小的外形尺寸

与同类器件相比，GaN晶体管具有更高的功率密度、更高的导热性和更高的击穿电压。最重要的是，它们的功率要求要低得多，因此您可以用更少的资源获得更多。这使得设计和制造更小外形的设备成为可能，既适合更小、更薄的技术，又不会影响功耗、可靠性或安全性。

考虑到我们在当今环境中的许多旗舰技术正在尽可能地精简，这是一个巨大的福音。

更轻的科技

纤薄或小巧的外形并不能使其轻巧，尤其是当您将大量内容打包到一个小框架中时。但是，由于GaN晶体管可以适应更高的开关频率，因此电路中使用的支持电感器和电力电容器也不需要那么大。不管使用更小的硬件的成本效益如何，它还显着降低了最终产品的重量和体积。

这不仅让位于更纤薄和更小的技术，而且让位于更轻的技术，具有更高的性能和效率等级。

降低系统成本

虽然氮化镓晶体管和氮化镓的成本通常高于其他材料和导体类型，但许多人在实现这些材料时仍然认为系统成本较低。通过减小器件中其他元件的尺寸和成本，并使用无源电感元件等替代方法，可以实现节约。

重要的是要指出，由于GaN晶体管具有更高的功率密度，更小的体积和额外的特性，因此许多这些替代品都是可能的。

降低能源成本

由于GaN晶体管更高效，功能更强大，因此降低了所用技术的能源和运营成本。当它们长时间供电时，消耗的能量更少，因为它们具有良好的导热性——热量。它们还可以在较小的整体尺寸下产生更多的功率，并且故障的倾向要低得多。

随着数字化的兴起和许多技术的进步，这些好处允许尖端创新。快速的开关速度、高功率密度、更小外形尺寸的更高效率以及令人难以置信的可靠性，仅举几例。

对于制造商和设备制造商来说，最相关的问题是，前期成本是否值得投资？如果您想制造功能强大、更可靠的设备，那么答案是肯定的。

审核编辑：汤梓红