意法半导体生产200毫米碳化硅大晶圆，将用于功率器件原型设计

碳化硅（SiC）晶圆经常出现在新闻中，这一事实预示着这种宽带隙（WBG）材料作为颠覆性半导体技术的证书，适用于更小、更轻、更高效的电力电子设备。

意法半导体宣布，从其最近收购的瑞典诺尔雪平工厂开始生产200毫米碳化硅大晶圆，用于功率器件原型设计。这是意法半导体目前在意大利卡塔尼亚和新加坡宏茂桥晶圆厂生产的两条150毫米晶圆生产线上生产的大批量STPOWER SiC产品的重大迁移。

2019年，意法半导体以近1.375亿美元完成对瑞典SiC晶圆制造商Norstel AB的收购。虽然意法半导体继续生产150毫米裸硅片和外延碳化硅片，但该交易显然针对200毫米生产的研发。更先进、更具成本效益的200 mm SiC批量生产将推动意法半导体为汽车和工业设计生产MOSFET和二极管。

尽管如此，为了加强SiC供应链，意法半导体在这个SiC功率器件的增长时期一直与Cree签署晶圆供应协议。意法半导体一直将Cree的150毫米碳化硅裸晶圆和外延晶圆用于汽车和工业应用的功率器件。意法半导体已与SiCrystal签署了一项类似的多年协议，以增加SiC晶圆的供应。SiCrystal是一家位于德国纽伦堡的罗姆公司，多年来一直生产SiC晶圆。

欧洲另一家芯片制造商在对Cree的Wolfspeed业务达成拙劣的收购协议后，英飞凌科技（Infineon Technologies）已与日本晶圆制造商昭和电工株式会社（Showa Denko K.K.）接洽，寻求SiC材料和外延技术。英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wafer表示，未来五年，基于SiC的半导体预计将以每年30%至40%的速度增长。

碳化硅可实现高效和强大的功率半导体，越来越多地用于电动汽车 （EV） 的光伏、工业电源和充电基础设施。这主要是因为SiC材料具有高硬度，耐热性和承受高压的能力。

然而，晶圆供应对于芯片行业从硅向SiC半导体器件的过渡至关重要。上述晶圆交易表明，芯片制造商如何通过内部和外部资源来满足这一需求，以推动SiC半导体的规模经济。

编辑：黄飞