魏少军：2023年中国半导体立足创新发展 五大核心研判信息量丰富

（电子发烧友原创 文/章鹰）12月29日，深圳市半导体行业协会社会承办的以“创新强链，双驱发展”为主题的“2022中国（深圳）集成电路峰会”（以下简称：ICS2022峰会）上，国际欧亚科学院院士、中国半导体行业协会副理事长、中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长、核高基国家科技重大专项技术总师魏少军，做了《认清形势，坚定信心》的报告。针对2023年中国和全球半导体的发展趋势，魏少军做出了五大研判。

 

首先，美国对中国半导体产业的遏制将逐渐走向单向半脱钩，单向是指美国欲单方面与我国脱钩，而我们不想；半脱钩是指美国暂时不会放弃中国市场，因而出现部分脱钩的现象。美国真正的大战略是充建供应链，取代中国具有全球完整供应链，重组产业链。

 

美国最近出台了芯片与科学法案，通过法律的方式要求凡是接受美国政府资助的企业不能在中国再发展，同时拉拢中国台湾、日本、韩国建立所谓的芯片四方联盟Chip4，同时又跟欧盟搞了新兴技术的委员会，目标也是要把中国排除在供应链之外。

二、中央政府将重新审视半导体发展思路，制定新的发展战略和措施，并投入更多的资源，大概率会采取与以往不同的组织形式，科学、全面、系统、持续和大力度将是关键词。

 

2021年，中国集成电路全行业销售收入首次突破1万亿人民币，达到10458亿元，增长18.2%。国务院《国家集成电路产业发展推进纲要》颁布后的7年间，中国集成电路产业高速增长，年均复合增长率达到19.5%，远远高于同期全球7.6%的年均复合增长率。

我们相信政府后续很快会出台一系列的关于集成电路的新政策。中国集成电路现在已经发展到了新的阶段。中国已经跻身全球大国之列，一定要有自己独立发展的思路。

 

此外，从上面的图表可以看出，中国、美国在电子信息产业发展比较全面，中国的主要短板是量子计算和半导体，美国主要在网络基础设施和通信领域，

三、对工艺和EDA工具敏感度不强的芯片研发技术将成为研究和探索的重点，集成电路科技计划将更聚焦目标导向和问题导向，聚焦提升成熟工艺的PPA。

因为遭遇到美国的限制，中国半导体的代工水平现在可能在14纳米制程、在128层在18纳米的DRAM可能一段时间会停滞，但是必须要发展，要提升成熟工艺的PPA。魏少军指出，异质堆叠集成技术助推国产3D NAND突围。3D NAND Flash主流架构包含CAN、CUA（PUC）和CBA三种架构；主流公司中大部分采用CUA（PUC）架构，其中长江存储采用CBA即Xtacking技术。魏少军指出，3D NAND 的未来发展将依托于异质堆叠集成技术，三星电子CEO金奇南在2021年IEDM上表示：“3D NAND Flash可以做到1000层。”

四、依托中国的庞大市场，一批极具创新性的产品和解决方案将面世，推动中国特色产品和应用标准体系的建设，有效缓解国外对我国实施的禁运并打破遏制。中国5G商用三年，5G应用才刚刚开始全面推广，现在主要集中在eMBB，真正重要的是mMTC和uRLLC，uRLLC是自动驾驶就是大规模的海量的信息用地，URLLC对于工业应用也是至关重要的。中国14亿人口全部市场被调动起来以后，形成自己的产品规范、形成自己的产品体系、产品标准，甚至是设计规范的时候，我们整个社会就会逐步进入智能化。智慧城市就会大规模部署传感器，云和数据中心。
 

五、集成电路人才培养将更加聚焦实用型人才，集成电路领域的卓越工程师人才培养计划将全面铺开，但如何实现产教融合将成为高校集成电路人才培养的最大挑战。

2021年，中国集成电路从业人员规模约为57.07万人，同比增长5.49%。2024年要达到79万人，两者相差22万人。芯片设计的人才现在差12万人，为什么差那么多人，很重要的就是产业发展太快人才培养跟不上。2022年中国集成电路企业对于应届生的能力要求，相比2021年的调研统计，2022年应届生满足企业需求程度有显著提高。满足度在20%以下的比例从去年的接近22%下降到9%；应届生技能满足度不足40%的比例下降了10%，技能满足度60%-80%比例提升6%。

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