喜讯！维安荣获2022中国IC设计成就奖——最佳功率器件奖

2022年8月17日，由全球电子技术领域的领先媒体集团ASPENCORE举办的IIC国际集成电路展览会暨中国IC设计成就奖颁奖典礼在南京隆重举行，凭借优秀的技术产品化和商业化落地能力，维安(WAYON)自主设计研发的WMO05N100C2(1000V 3.5Ω TO-252/DPAK SJ-MOSFET)产品获得2022中国IC设计成就奖之年度最佳功率器件/宽禁带器件奖。

中国IC设计成就奖是中国电子业界广泛认可、最具专业性和影响力的奖项之一，旨在表彰在中国IC设计链中占据领先地位或展现卓越设计能力与技术服务水平、或具极大发展潜力的最佳公司、团体、以及杰出个人，获此殊荣，维安在此特别感谢IC设计成就奖的主办单位及各位业界同仁们，感谢大家对我们的支持及肯定。

维安面向全球市场，在800V及以上超高压产品进行了大量的技术投入。经过多年在超高压SJ-MOSFET产品领域的研发积累，维安已开发出国内领先的工艺技术，相应小封装高耐压低导通电阻类产品可以做到行业内较高水平，能够为客户提供高功率密度的800V及900V以上耐压产品。维安1000V SJ-MOSFET产品利用电荷平衡原理，实现了高耐压产品的低导通电阻特性，相比VD-MOSFET 结构工艺产品，SJ-MOSFET具有更小封装工艺和更好成本控制的双重优势。

目前市场主流的1000V耐压MOSFET产品多以TO-247、TO-3P甚至TO-268较大封装为主，而维安1000V器件WMO05N100C2使用TO-252/DPAK贴片封装工艺，内阻低至3.5Ω，相比同规格VD-MOSFET产品 6-7Ω的内阻水平下降近1倍。目前该类型产品在工业控制、中低压配电等380V AC输入场景中具有广泛应用前景。

获奖产品曾获得2016年上海张江国家自主创新示范区专项发展资金资助，荣获“2018年上海市高新技术成果转化项目”、“2019年度浦东新区科技进步三等奖“、“2020年科创投杯海聚英才-银聚奖”。

半导体是电子信息领域战略性、先导性产业，是支撑国家电子信息技术高速发展的基石产业，维安通过关键技术创新，突破了传统功率半导体器件中耐压和导通电阻之间相互制约的“硅限”问题，使得功率半导体器件在高耐压、低功耗、小型化、集成化的方向具有更大的技术优势，为功率电源提供了可靠的核心器件，广泛应用到国家战略新兴产业，产生了良好的社会经济效益。

维安成立于1996年，以收入计，是国内电路保护领域第一大企业，专注于电路保护与功率控制的元器件及半导体解决方案的设计、制造、销售。公司通过不断的技术创新，致力于成为电路保护与功率控制领域的全球领先品牌。

审核编辑 黄昊宇