A-SAP和mSAP工艺都可用于电镀孔吗

高密度互连(high-density interconnect，简称HDI)设计要求设计师具有一些不同的想法。首先要考虑的重点是是否需要HDI，如果需要，需要多少。

只要采购任何引脚间距为0.5mm的元器件，就会影响HDI选项。

这些元器件的数量及设计的其他技术规范将决定所需要的HDI量。

以下是HDI选项清单：

· 更小的通孔

· 更小的走线

· 更薄的介质

· 更密的阻焊层间隙

· 受控膏状掩模结构  

每个选项都会带来影响制造及组装的选择，因此在做出这些选择之前需要进行一些研究。

本文将只探讨前两个选项，因为它们通常会决定贵公司想要使用哪种制造工艺。

更小的通孔有多种可选项 ：

具有贯穿通孔的盲孔

这是最佳选择。它会增加一点成本，但同时能够将元器件放在PCB的两侧，而不必受具有不同网相对焊盘的限制。

具有贯穿通孔的盲孔和埋孔

此选项提供了最大的布线控制；然而，它也会增加成本。  

仅有贯穿通孔

虽然这种选择可以降低制造成本，但它限制了分支、布线、通孔尺寸和元器件放置。

更小的通孔取决于板的纵横比。

保持PCB尽可能薄，如果电路板厚度小于等于50 mil[1.27mm]，大多数制造商可以生产更小的通孔，最小可达6mil[0.15mm]，而无需额外增加成本。

A-SAP和mSAP工艺都可用于电镀孔。

同样，厚径比也会有所不同。

还有，需要多厚镀层？是用导电材料还是非导电材料填塞通孔？

更窄的走线

选用多窄的走线取决于所选择的制造工艺以及元器件引线间距。

在确定工艺之前，了解A-SAP和mSAP之间的差异非常重要。

标准的减成法蚀刻工艺从超薄的铜箔开始，蚀刻电路图形，然后为形成的走线和铜特征增加铜厚。

图1是IPC-6012中规定的起始铜厚表。

当使用基本芯材时，mSAP通常从四分之一盎司铜厚度开始，A-SAP从裸介质开始，增加0.2µm的薄化学镀铜。

图1显示了加成法工艺后的典型铜厚度。

最终会形成梯形结构，具体取决于光致抗蚀剂。

A-SAP工艺不会形成梯形结构走线。

基底铜越厚，越必须从梯形结构开始。

两种工艺都可以从典型的金属箔开始。

当采用加成法工艺时，mSAP通常从更厚的铜箔开始，A-SAP则从更薄的铜基底开始。

Averatek公司的Steve Iketani和Mike Vinson在2019年7月的《PCB007 Magazine》杂志上发表了一篇详细介绍该主题的文章。

A-SAP和mSAP在使用液态金属油墨(Liquid metal ink ，简称LMI)的初始铜厚度制造中都可采用加成法或减成法工艺。

当使用LMI涂布起始铜时，如图2所示，与层压板界面处的密度显著增加。




现在，工艺流程变得非常不同。走线形状、铜厚度和宽度也非常不同。图3显示了走线结构实例。

审核编辑：刘清