新型3D铁电存储器(VFRAM)PB85RS128C在仪表设计中的应用

存储技术

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描述

在仪表设计中,数据的安全存贮非常重要。如电子式电能表,它在运行期间时刻都在记录数据,如果功能设计的比较多,那么保存的数据量大,擦写次数比较多。一般需要有一个高性能的存贮器才能满足需求。

某客户在设计仪表时,需要用到一个寿命长、数据保存安全期长的存储器,该客户最终确定了拍字节的新型铁电存储器(FRAM)PB85RS128,该FRAM芯片(铁电随机存取存储器)配置为16,384×8位,通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。

该芯片中使用的存储单元可用于1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM,且不会像FLASH或EEPROM那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。


SRAM芯片

目前,拍字节PB85RS128是非常适合仪表设计要求的存贮器。它的性能指标完全达到设计要求,解决了仪表中的设计忧虑。

更重要的是,它的存贮时间短,在异常掉电时,利用FRAM高速写特性,瞬时将企业级固态硬盘的FTL Changes和Write Buffer保存到VFRAM中,彻底解决了企业级固态硬盘异常掉电引起的数据丢失问题。

在出现仪表突然断电的情况数据能及时、安全的存贮。

拍字节PB85RS128主要参数如下:

· 容量:128Kb · 接口类型:SPI接口(模式0和模式3)

· 工作电压:2.7伏至3.6伏

· 工作频率:25兆赫兹

· 功耗:4.2毫安(25兆赫兹) 

· 低功耗:9微安(待机)

· 数据保持:10年@85℃(200年@25℃)

· 高速读特性:支持40MHz高速读命令

· 工作环境温度范围:-40℃至85℃

· 封装形式:8引脚SOP封装,符合RoHS 为了普及使用,拍字节PB85RS128封装形式除能够与EEPROM及串行闪存兼容的SOP外,还提供可穿戴设备用WSON等超小型封装形式的产品。

同时,使用TSOP或SOP封装形式提供256Kbit至16Mbit的并行存储器。

在利用SRAM及数据保存用电池供电的应用中,并行存储器被用作进一步降低能耗或减少电池的解决方案。

此外,在企业级SSD及NVDIMM等应用场景,拍字节提供了256Mbit至4Gbit的DDR接口。

SRAM芯片






审核编辑:刘清

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