后段集成工艺（BEOL Integration Flow）- 2

双镶嵌 (Dual-Damascene）和多层金属互连接 (Multi-Interconnection)通孔-1（V1）和金属-2 （M2）互连的形成是通过双镶嵌 (Dual -Damascene)工艺实现的，如图所示。

双镶嵌工艺分为先通孔 （Via-First） 和先沟槽(Trench-First）两种技术。以先通孔技术为例，首先沉积IMD2层（如 SiCN层，厚度约为 50nm，含碳低k PECVD 氧化硅黑金刚石层厚度约为 600nm），然后形成V1的图形并进行刻蚀。多层IMD1 的主要作用是提供良好的密封和覆盖更加多孔的低k介质。 为了平坦化，需要在通孔中填充底部抗反射涂层 （Bottom-Ani-Rellective Coatings, BARC)，并沉积一层 LTO (Low Temperature Oxide)。随后形成M2 的图形并刻蚀氧化物，去除 BARC 并清洗后，沉积 Ta / TaN 阻挡层和 Cu 籽晶层，随后进行 Cu 填充（使用 ECP 法），并进行 CMP 平坦化，这样 M2 互连就形成了。 通过重复上述步骤，可以实现多层铜互连。相应的，先沟槽技术的双镶嵌工艺就是先实施 M2 沟槽制备再形成 V1 的图形并刻蚀氧化物，然后沉积阻挡层和籽晶层，最后进行 Cu 填充和 CMP 平坦化。

审核编辑 ：李倩