LTC3876DDR电源解决方案的应用

LTC®3876 是一款完整的 DDR 电源解决方案，兼容 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR4 较低电压标准。该 IC 包括 VDDQ和 VTT  DC/DC 控制器和精密线性VTT 参考。差分输出检测放大器和精密内部基准相结合，提供精确的VDDQ供应。VTT 控制器跟踪精密VTTR线性基准，总误差小于20mV。精密 VTTR 基准保持 1.2% 的调节精度，跟踪 1/2 VDDQ过热 （一个 ±50mA 基准负载）。

LTC3876 具有受控的导通时间、谷值电流模式控制，因而允许其接受一个 4.5V 至 38V 的宽输入范围，同时支持 VDDQ输出范围为 1.0V 至 2.5V 和 VTT 和 0.5V 至 1.25V 的 VTTR 输出。其锁相环 （PLL） 可同步至 200kHz 至 2MHz 之间的外部时钟。它还具有电压跟踪软启动、PGOOD 和故障保护功能。

高效率、4.5V 至 14V 输入、双输出 DDR 电源

图 1 显示了一个采用 4.5V 至 14V 输入工作的 DDR3 电源。图2显示了非连续和强制连续工作模式的效率曲线。

图1.1.5V VDDQ/20A 0.75V V电传/10A DDR3 电源

图2.图1中的电路效率（VDDQ= 1.5V， f西 南部= 400kHz， L = 470nH）

负载释放瞬态检测

随着输出电压的下降，开关稳压器面临的主要挑战是限制V中的过冲外在负载释放瞬态期间。LTC3876 采用 DTR 引脚来监视 ITH 电压的第一导数，以检测负载释放瞬变。图3显示了该引脚如何用于瞬态检测。

图3.负载瞬态检测DTR连接功能图

两个R伊特电阻器从 INTV 建立分压器抄送至SGND，并将DTR引脚上的直流电压（稳态负载或ITH电压）偏置略高于INTV的一半抄送.对于给定的 CITH1，只要R，该分频器就不会改变补偿性能ITH1, 1ITH2等于通常用于传统单电阻 OPTI-LOOP 补偿的 RITH。®

分频器设置 DTR 持续时间所需的 RC 时间常数。DTR灵敏度可以通过DTR和半INTV之间的直流偏置电压差来调节抄送.只要具有直流负载电流的ITH纹波电压不触发DTR，该差值可以设置为低至100mV。如果负载瞬变足够快，DTR电压降至INTV的一半以下抄送，则检测到负载释放事件。底部栅极 （BG） 关断，因此电感电流流过底部 MOSFET 中的体二极管。

请注意，DTR特性会在其体二极管导通下导致底部MOSFET的额外损耗。当负载频繁且负载阶跃较大时，底部FET温度可能更高，这是一个重要的设计考虑因素。测试结果表明，当对输出施加具有50%占空比和100kHz频率的连续100%至50%负载阶跃脉冲链时，温度会升高20°C。

VTT参考 （VTTR）

线性 VTT基准电压源 VTTR 专为大型 DDR 存储器系统而设计，可为高达 ±50mA 的输出负载提供卓越的精度和负载调整率。VTTR 是VTT的缓冲输出电传差分基准电阻分压器。VTTR 是一种高输出线性基准，可跟踪VTT差分基准电阻分压器，等于远端检测VDDQ电压的一半。

将 VTTR 直接连接到 DDR 内存 VREF 输入。输入和输出电源去耦对性能和精度都很重要。对于大多数典型应用，建议使用 2.2μF 输出电容器。建议在VTTR输出上使用不小于1μF且不超过47μF。VTTR 电源来自 VTTR VCC 引脚。典型推荐的输入VTTRVCC RC去耦滤波器为2.2μF和1Ω。当VDDQSNS绑定到INT Vcc时，VTTR 线性基准输出为 3 态，VTTR  成为基准输入引脚，在多相应用中采用来自另一个 LTC3876 的电压。

图4.负载释放比较

VTT供应

VTT电源基准在内部连接到 VTTR VTT的输出电传参考输出。VTT电源工作在强制连续模式和轨道 VDDQ在启动和正常运行时，与 MODE/PLLIN 设置无关。在启动时，电源与VTT同步启用DDQ供应。操作 V电传强制连续模式下的电源可在启动和所有操作条件下进行精确跟踪。

结论

LTC®3876 是一款用于 DDR 存储器电源的完整高效率和高精度解决方案。独特的受控导通时间架构可实现极低的降压比，同时保持快速、恒定的开关频率。4.5V–38V 的宽输入电压范围和 200kHz 至 2MHz 的可编程、可同步开关频率为设计人员提供了优化系统所需的灵活性。