GaN如何在电子工程行业掀起一场革命

功率器件

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氮化镓 (GaN) 晶体管于 20 世纪 90 年代亮相,目前广泛应用于商业和国防领域,但工程应用可能大相径庭。不相信?可以理解。但在您阅读本文之后,可能会成为忠实支持者。   GaN 的普及根植于其高电源和高电压功能。这些特性使其适用于许多应用,包括微波射频 (RF) 和功率开关应用。   GaN 独特的材料属性使其成为许多应用全新首选技术,如 5G 通信、汽车、照明、雷达和卫星应用。但 GaN 制造商和开发人员并不止步于此。他们继续通过技术革命来推进 GaN 的发展。这些创新将在未来继续开拓新的应用领域。   阅读本文之后,您将了解 GaN 如何在电子工程行业掀起一场革命,及其如何继续保持这一势头。  

GaN

  傻瓜式假设

之前提到,大多假设已不再关乎使用,尽管如此,我们仍然做出以下假设。我们主要假设您是技术或半导体行业的利益相关者,并且长期关注 GaN 等技术。您可能是工程师、设计架构师、技术员、技术主管、销售人员、技术学员或投资者。我们还假设您对半导体技术有一定的了解。   氮化镓 (GaN) 技术是一项相对较新的半导体技术,正在彻底改变当今世界。GaN 的优势源于其独特的材料属性 :宽带隙、高击穿电压、高热导率、高电子迁移率和高饱和电子速度。   首先介绍关于 GaN 及其优势的一些基本事实,然后对使用 GaN 的行业和应用进行调查。  

GaN:过去和现在

  20 世纪 90 年代初,人们首次认识到 GaN 作为一种大功率和高频半导体晶体管材料的潜力,并开始不断探索。到 2000 年代中后期,GaN 就已经用于国防和航天领域的生产应用,以及固态照明发光二极管 (LED) 的商业应用。

  自那时起,GaN 逐渐被射频 (RF) 电子领域接受,并广泛部署于 5G 等商业无线应用。GaN 材料的改进可实现高功率密度、高效率射频放大器,并推动了射频技术的应用。   像砷化镓 (GaAs) 和磷化铟镓 (InGaP) 一样,GaN 是一种 III-V 直接带隙半导体技术。III-V 化合物半导体是一种含有元素周期表中 III 和 V 族元素的合金。   许多半导体市场分析师仍将 GaN 描述为一项相对较新的技术。然而,在短短的几年时间里,GaN 已经从新秀一跃成为许多应用领域的领跑者。GaN 不仅取代了根深蒂固的现有硅技术,如横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS),而且在与 GaAs 等其他技术组合使用时,还有助于提高整体系统性能。   GaN 能够补充 GaAs 等现有技术的不足,从而有助于加快其在国防与商业应用领域的普及。GaN 还有助于提高系统性能,以满足下一代系统对更高功率、频率和效率的要求。因此,它开始成为带宽更宽、频率更高的全新射频应用的首选技术。  

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编辑:黄飞

 

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