这一节继续对共射放大电路进行总结分析,确定电源的去耦电容!
关键:共射放大器电路;
表1-1 共射放大电路的设计规格
01
如图1-1所示是电源上的去耦电容:
图1-1 电源的去耦电容
图1-1中C3和C4是电源上的去耦电容——即降低电源对****GND 的交流阻抗用的电容(也称旁路电容) 。当没有这个电容时,电路的交流特性就会变的很奇特,严重时电路产生震荡。电容的阻抗为1/(2πfc),其中频率越高,阻抗应该越小,但是,实际上因内部感抗成分等因素的影响,从图1-2所示的某个频率开始,阻抗反而变高,在结构上,小容量的电容器在高的频率处,而大容量的电容器在较低的频率处,电容的阻抗就会变得最低。
图1-2 电容器的阻抗
因此,在电容上并联连接如图1-1所示的小容量的电容器C3 和大容量的电容器C4 ,在很宽的频率范围减低电源对GND的阻抗。但是,小容量的电容器是在高频情况下降低阻抗用的,所以如果不配置在电路近邻,则电容器的引线增长,由于引线本身的阻抗,电源的阻抗不能降低,在此,采用C3=100nF的叠层陶瓷电容器,C4=10uF****的铝电解电容器。
通常小容量的电容器是10nF100nF的陶瓷电容器,大容量电容器是1100uF的铝电解电容器。另外,在这样低频率的电路中,即使没有小电容C3,电路也是可以正常工作的,但是在高频电路中,比起大电容C4来,C3起着更为重要的作用。从习惯上来说,旁路电容也是由大电容和小电容两条通路构成的。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !