鳍式场效应晶体管工艺流程（FinFET）

鳍式场效应晶体管工艺流程（FinFET）

从22nm 节点开始，Intel公司率先成功使用了鳍式场效应晶体管(FinFET)，其制造工艺流程如图所示。

图中的工序1由工序1’替代，以形成鳍（Fin）。

浅槽隔离和形成鳍的过程如下所述：

首先沉积鳍轴( Mandrel)和硬掩模层，掩模图形化鳍轴并刻蚀，形成第一侧墙；

去除鳍轴，刻蚀硬掩模，去除光刻胶; 刻蚀硅 （120~150nm），氧化硅填充间隙，化学机械抛光，退火(鳍与鳍之间的浅槽隔离）；

掩模（开 SDB 区域，以切除鳍)，刻蚀硅/氧化硅(深度为 50-80nm)），氧化硅填充 SDB 间隙、化学机械抛光（鳍中间的浅槽隔离)；

刻蚀氧化硅（深度为 30~50pm），以呈现出鳍的高度。‍

审核编辑：刘清