相变随机存取存储器（PCRAM）制造工艺

相变随机存取存储器（PCRAM）制造工艺

相变随机存取存储器具有低电压操作、编程速度快、功耗小和成本低等特点。最常用的制作相变存储器的材料是基于GST (GeTe 和 Sb2Te3的二元组合）的硫系合金（Chalcogenide Alloy），可掺杂微量的N、C或O。相变存储单元结构的微缩（如缩小单元底部加热器，减薄相变材料），有利于非结晶相（高电阻值）和结晶相（低电阻值）之间的转换，因此擦写 (SET-RESET) 电流较小。

目前，PCRAN 的擦写次数约为 10^3-10^5次。

图示是 PCRAM 制造工艺流程。只需要在 BEOL 任何一层金属互连中形成钨栓塞（W-Plug）通孔（Via）后加入一个光刻掩模版步骤，就可以形成相变存储器单元。

审核编辑：刘清