GaN射频器件应用于雷达的优势

模拟技术

2411人已加入

描述

雷达,即Radar(radio detection and ranging),是利用电磁波探测目标的电子设备,是“三军之眼,国之重器”!我们眼睛能看到周围事物,是因为太阳光或者灯光照射到物体上反射回来的光入射进入眼睛,抑或物体直接发光(如萤火虫等)进入眼睛。

雷达的原理也是这样,通过雷达发射组(Transmitter)发射电磁波,被目标物反射回来的回波被雷达接收组(Receiver)接收,经过一系列的滤波,放大等复杂信号处理和分析,根据回波信号的时延、多普勒频移、到达角和幅度,判断目标物的姿态、距离、速度和方位角等信息,从而用于搭载设施侦察、制导、火控等功能。

当然雷达同眼睛不一样的地方在于,雷达是主动发射电磁波并探测回波,而人眼只能被动接收光。

雷达为了看得更远,更清楚,需要发射组的功率更高(能传输到更远距离)、频率更高(更密集和快速获取反射波信息)。

同时为了适应各种不同环境作战,雷达希望能尽可能重量轻、体积小,以实现机载、舰载。T/R 组件是相控阵雷达的工作核心,含有大量射频芯片,例如功率放大器、低噪声放大器、环行器、移相器等,组成 T/R 组件的发射通道和接受通道,负责处理高频的电磁波信号。

雷达系统对射频芯片的性能要求极高。 发射通道负责对激励信号进行放大,使激励信号的功率大大增强,信号功率越大,电磁波在空间中传播的距离越远,雷达的探测距离和探测精度都会越高。

GaAs半导体器件以其优良的频率和功率特性在上述雷达T/R 组件的固态微波射频功率器件中占据主导地位,但是GaN相比GaAs具有一些优势, GaN和GaAs的Johnson因子(综合评价半导体材料在功率和频率方面应用)分别为27.5和2.7

1)相比GaAs(禁带宽度 1.43eV),GaN材料的禁带宽度3.4eV,约为GaAs的2.4倍,GaN器件具有指数倍更高的击穿场强,可以在更高电压下工作。 另外,更宽的禁带宽度使GaN材料具有指数倍数更低的本征载流子浓度(更高的温度才能使GaN材料的本征载流子浓度和掺杂载流子浓度相当),因此GaN器件在高温条件下工作可靠性较GaAs更好。

2)GaN材料大电场下有更高的载流子漂移速度,从而工作电流更大。 GaAs材料在低电场室温下的电子迁移率很高,达到8800cm ^2^ /V.s, 但是在稍大电场下其迁移率急剧下降,变为负数,表现为载流子漂移速度急剧下降。

这是由GaAs的能带结构决定,除了在k=0的导带极小值,在<100>方向还存在0.36eV的能谷,增大电场,电子获取能量便会转移到此能谷中,即电子转移效应。

GaN材料虽然常温低电场下的载流子迁移率不如GaAs,但是在150kV/cm的高场强下,迁移率随电场虽有减小,但一直为正,表现为漂移速度一直增加。

在高场强条件下,GaN的饱和电子漂移速度(2.46×10^7^cm/s)是GaAs的数倍之大(1×10^7^cm/s),甚至远高于GaAs在低电场下的饱和漂移速度(1.8×10^7^cm/s)。

GaN器件同时可以工作在更高电压和电流(电子漂移速度与电流密度相关)下, 因此在高功率应用中远胜GaAs,但GaAs 将继续在中低电压和中低功率应用领域发挥作用。

3)从热性能方面来说, SiC是GaN射频功率器件最好的衬底材料,SiC的导热性优于硅和蓝宝石,有助于实现GaN的高功率特性,且SiC的导热性比GaAs高10倍。 虽然SiC衬底目前价格较贵,但对价格敏感度不高的军工产品来说不是问题,且SiC价格肯定会随着其材料技术的发展而降低。

前述GaN材料本身的宽禁带优势,加上更优良的热性能,使其相对GaAs器件优势更明显:GaN器件的沟道温度在同等可靠性条件下比GaAs高,而相同的沟道温度下,GaN的可靠性比GaAs高得多。

Qorvo GaN HEMT和GaAs赝调制掺杂异质结场效应晶体管(pHEMT),沟道温度为150℃时,GaN,GaAs的平均寿命分别为1×10^9^小时,1×10^6^小时。在1×10^6^小时的平均寿命下,GaN(225℃)可工作在比GaAs(150℃)高75℃的环境中。

4)以上功率和散热可靠性方面优势,使GaN基射频器件在同样甚至更高的输出功率下,具有更小的体积 ,因此更有利于雷达系统体质微轻化,从而更适合机载、舰载等场合。

单极型GaN HEMT是主要的GaN射频器件结构,相比MESFETs, MISFETs等结构具有更高的载流子迁移率,而GaN p型掺杂的困难限制了双极型的GaN HBTs 结构性能。

GaN相比SiC(Johnson因子为20)在射频器件方面的优势在于,能与其他氮化物合金形成异质结,且AlGaN/GaN HEMT沟道载流子,相比SiC MESFETs具有快的迁移率和更高的浓度。但对更关注耐压和导通电流的功率半导体,SiC目前更具有优势。

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分