三管MOS DRAM基本单元电路原理 单管MOS动态RAM基本单元电路原理

一、三管MOS DRAM基本单元电路原理

如果需要读出数据，首先需要给T4加上一个预充电信号，然后VDD给读数据线充电，代表需要读出的数据是“1”，进行读出时，读选择线是高电平。此时，如果原来存储在电容里面的数据是“0”，则电容为低电平，不带电，那么T1并不会接通。因此此时存的数据是“0”，读出的数据却是“1”。//相反，如果存的数据是“1”，那么T1管就会接通，T1、T2导通接地，所以此时读数据线为低电平，读出的数据就是“0”，。这就是“读出与原存信息相反”，因此需要在读数据线输出端加一个与门。

如果需要写入数据，写选择线为高电平，T3管接通，写数据线若是高电平，就会给Cg充电，写入数据“1”，如果写数据线是低电平，则Cg会通过T3管放电，存入的数据是“0”。这就是“写入与输入信息相同”。

二、单管MOS动态RAM基本单元电路原理

当行被选中时，字线就会通电。

读出数据时：如果Cs存储的是数据“1”，那么就会通过T给数据线放电，使数据线产生电流，如果存的是数据“0”，则数据线会给CS充电，那么此时数据线内部就不会有电流。

写入数据时：数据线要传输的数据如果是“1”，则数据线里面会有电流，就会通过T给Cs充电，存入数据“1”，数据线如果要传输的数据是“0”，则数据线不带电，Cs会立马向外放电，放电后代表存储的数据是“0”。