碳化硅(SiC)二极管的种类及优势

近 20 多年来，以碳化硅(silicon carbide，SiC)为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC中存在各种多型体(结晶多系)，它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适。

SiC材料具有3倍于硅材料的禁带宽度**，10倍于硅材料的临界击穿电场强度，3倍于硅材料的热导率。因此 SiC功率器件在高频、高压、高温等应用场合更具优势，且有助于电力电子系统的效率和功率密度的提升。

SiC功率二极管有4种类型：PiN 二极管、肖特基二极管(Schottky Barrier Diode，SBD)，结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky Diode，JBS)和混合式PIN-肖特基二极管。

它的优势体现在以下几个方面：

1.高热导率提高了功率密度

2.宽禁带提高了工作温度和可靠性

3.强的抗辐射能力，更适合在外太空环境中使用

4.高击穿场强提高了耐压，减小了尺寸

碳化硅二极主要应用在重型电机、工业设备、新能源汽车、光伏逆变器中。