氮化镓对比普通充电器有哪些优势

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性[半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。

氮化镓功率器件的特点

1长脉宽，高占空比

2工作频带宽，工作频率高

3输出功率高，附加效率高

4抗辐照能力强，环境适应性强

氮化镓对比普通充电器有哪些优势

1体积优势

2功率需求

3适配性选择