氮化镓的重要性以及制备方法

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力。

为什么氮化镓(GaN)很重要？

氮化镓(GaN)的重要性日益凸显。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。

氮化镓的制备

氮化镓薄膜制备一般有以下几种方法：

1MBE法：用MBE法（分子束外延法）制备GaN与MOCVD法类似，主要的区别在于镓源的不同。

2MOCVD法：MOCVD（金属有机物气相沉积法）是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。