纳微关于半桥氮化镓功率芯片的专利整体概况

早在2017年，纳微便发布了业界首款集成半桥氮化镓功率芯片NV6250，截至目前，纳微已在该技术方向下申请了103件专利。本期我们来一起看下纳微关于半桥氮化镓功率芯片所布局专利的整体概况。

图1(a)-(b)中分别展示了这103件专利的申请趋势和申请国家或地区，从图中可以看到纳微在半桥氮化镓功率芯片方向上所申请的专利量从2015年一开始便达到了最高的33件，经分析发现，此后的专利申请大多是这些早期专利的后续同族专利。

（a）申请趋势

（b）申请国家或地区

图1

通过进一步分析上述这些专利发现，纳微的专利布局具有以下特点：

1.同族专利多

其中，共计86件专利要求了在先的优先权，占比约83.5%，这也使得其大部分专利都具有多个同族专利。具有代表性的包括，以US62127725作为优先权的专利共计40个；以US62051160作为优先权的专利共计38个（与前者具有部分重叠）。这种方式一方面可以使得后续的专利具有更早的优先权，另一方面也有利于增加专利之间的关联度，其形成组合式专利保护。

例如，在这103件专利中，有83件都采用下图中所示的半桥结构图，表明这些专利都可应用到相同的半桥架构中。

图2

2.专利质量较高

从图3中可以看到，目前纳微在半桥氮化镓功率芯片方向上的专利已授权76件，除去世界知识产权局WO的8件PCT专利之外，其授权率高达约80%，目前仅有3件专利处于失效状态。

图3

此外，这些专利中，权利要求项数大于20项的共计70件，且大部分具有超过两项的独立权利要求；在说明书方面，页数在50页以上的共计73件，其中有17件更是达到了100页以上。以上内容说明纳微专利的保护层次较多更全面，整体说明书内容详细丰富，也有利于专利在审查过程中的修改，增加授权率。

3.保护角度全面

如上文中所提到的，在纳微的这些专利中共有83件都采用了图2所示的半桥结构示意图，这些专利通过不同的主题角度对半桥氮化镓功率芯片产品的各个组成部分进行了全面保护，以下以中国同族专利为例进行展示。

在基础架构方面，专利CN110176858B主要对具有低侧功率开关和高侧功率开关的半桥式氮化镓驱动电路的整体架构进行了保护；专利CN107005163B对具有至少一个功率开关的驱动架构进行了保护。

在电路的各个组成元件方面，下表中按最早优先权日的时间顺序进行了展示：

1

最早优先权日：20140820

CN106796930B

具有分布式栅极的功率晶体管

核心保护点的代表附图

分布式栅极功率晶体管

2

最早优先权日：20171115

CN109787609A

CN113037273B

电容耦合式电平移位器

核心保护点的代表附图

电平移位电路结构

3

最早优先权日：20180719

CN110739950A

功率晶体管控制信号门控

核心保护点的代表附图

回转检测电路

4

最早优先权日：20181114

CN111193395A

基于零电流检测的谐振转换器控制

核心保护点的代表附图

零电流检测电路（GanSense技术）

5

最早优先权日：20190404

CN111799992A

GaN半桥电路和GaN自举电源电压发生器电路

核心保护点的代表附图

自举电路

另外，在没有采用图2半桥结构的其他两件中国专利中，主要信息如下所示：

1

最早优先权日：20170525

CN109302855B

脉冲驱动功率FET

核心保护点的代表附图

脉冲驱动功率FET

2

最早优先权日：20200911

CN114171512A

用于GaN功率集成电路的热增强电子封装

核心保护点的代表附图

半桥封装

另外，需要说明的是，纳微的这103件专利中除了半桥结构专用的技术之外，部分专利技术也能同时应用到其他单独驱动的功率FET芯片上，通用性更强。

以上就是纳微半导体对半桥氮化镓功率芯片产品所布局专利的简介。

编辑：黄飞