什么是硅基氮化镓?

IGBT/功率器件

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描述

1.硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料,主要应用于功率器件,凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内硅基氮     化镓将在手机快充充电器市场快速渗透,长期在基站、服务器、新能源汽车等诸多场景也将具有一定的增长潜力。当前国内外厂商积极布     局氮化镓产业链,覆盖外延生长、器件设计、器件制造等环节。

2.硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中,由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上,可以     利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。

3.硅基氮化镓中短期内主要应用于手机快充充电器领域,长期来看,在5G基站、服务器及数据中心电源、新能源汽车、激光雷达、航空航       天、智能家电等场景都将具有一定的增长潜力,根据Yole,预计氮化镓功率市场规模将从2018年的900万美元增长至2024年的3.5亿美         元。

4.硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展的关键时刻。硅基氮化镓相比于LDMOS技术的性能优势已经过验   证,这推动了其在最新一代4G LTE基站中广泛应用,并使其定位为最适合未来5G无线基础设施的实际促技术,其轰动性市场影响可能会远   远超出手机连接领域,而将涉足运输、工业和娱乐应用等领域

  5.综上,硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料,主要应用于功率器件,可有效缩小功率器件体积,提高功率器件效率,对传统硅材料功     率器件进行替代。预计中短期内硅基氮化镓将在手机快充充电器市场快速渗透,长期在基站、服务器、新能源汽车等诸多场景也将具有一     定   的增长潜力,预计氮化镓功率全市场规模将从2018年的900万美元增长至2024年的3.5亿美元。基于硅基氮化镓市场的增长潜力,国     内外厂商均积极布局,市场处于快速发展期。

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jf_33952747 2023-07-25
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